NT2955G (VBE2610N)参数说明  P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装  TO252。

应用简介  NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。

其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。

优势与适用领域  具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。

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