NDS331N-NL (VB1240)参数说明  N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装  SOT23。

应用简介  NDS331N-NL适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。

其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。

适用领域与模块  适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合要求节省空间的场景。

"NT2955G (VBE2610N)参数说明  P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装  TO252。

应用简介  NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。

其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。

优势与适用领域  具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。

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