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AP100N75 场效应MOS 1000V75A低内阻 N沟道MOS管SGT DFN5×6

发布人:18923706103 时间:2023-09-02 来源:工程师 发布文章

Features
 100V, 75A
RDS(ON)<9.2mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON)<13.5mΩ @ VGS = 4.5V
 Advanced Split Gate Trench Technology
 Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
 Lead free product is acquired
Application
 Load Switch
 PWM Application
 Power management
100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

电压:100V  电流:75A   内阻:7.3 mΩ


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关键词: MOS NMOS 场效应管

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