虽然美国存储芯片大厂美光在2022年下半年宣称全球首家量产了232层NAND Flash，但事实上，长江存储在美光之前就已经小批量量产了。随后在去年11月7日，三星电子也宣布量产了236层3D NAND闪存芯片。今年6月8日，SK海力士也宣布其在2022年8月开发完成的238层堆叠的NAND Flash芯片正式开始量产。至此，头部的三大存储厂商的NAND Flash均已经进入了232层或236层。

没想到的是，仅时隔2个月之后，SK海力士竟然又推出了321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。

SK海力士于8月8日宣布，借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。

SK海力士表示，321层堆叠的1Tb TLC 4D NAND Flash闪存性能，相比上一代238层堆叠的512Gb 4D NAND Flash闪存提高了59%。而提升性能的原因在于数据储存单元可以用更多的单片数量堆叠到更高，这使得在相同大小面积的芯片上达到更大储存容量，也进一步增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

不过，目前SK海力士的这款321层堆叠4D NAND Flash还需要进一步优化，计划到2025年上半年才开始量产供货。

SK海力士还发布了针对这些需求进一步优化的下一代NAND Flash闪存产品解决方案，包括采用PCIe 5（Gen5）界面的企业级固态硬盘（Enterprise SSD，eSSD）以及UFS 4.0规格产品。

SK海力士进一步指出，目前公司在积累产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0规格产品，以致力于在未来继续领导相关內存产品市场。

编辑：芯智讯-浪客剑

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