Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")发布了一款100V N沟道功率MOSFET产品“TPH3R10AQM”。该产品采用了东芝最新一代工艺U-MOS X-H制造，面向用于数据中心和通信****的工业设备，目标应用包括这些工业设备供电线路上的开关电路和热插拔电路[1]。新品即日起开始发货。

TPH3R10AQM的最大漏源电阻仅有3.1mΩ，达到业界领先水平[2]，比Toshiba使用前一代工艺制造的100V产品“TPH3R70APL”的电阻低16%[2]。两者相比，TPH3R10AQM将安全工作区域扩大76%[3]，使其适合在线性模式下工作。减小导通电阻并扩大安全工作区域的线性工作范围可以减少器件的并联数量。此外，其门极阈值电压范围为2.5V至3.5V，降低了由于门极电压噪声引发故障的可能性。
这款新产品采用了具备高度封装兼容性的SOP Advance(N)封装。

Toshiba将继续扩大能够通过减少损耗提高电源效率，并且有助于降低设备功率消耗的功率MOSFET产品线。

应用

• 通信设备的供电，如数据中心和通信****的设备

• 开关电源（高效DC-DC转换器等）

特点

• 业界领先的[2] 出色低导通电阻：RDS(ON)=3.1mΩ（最大值）(VGS=10V)

• 宽安全工作区域

• 高沟道温度等级：Tch（最大值）=175°C

注释：
[1] 在设备运行时，该电路无需关闭系统就可以控制元件和系统的连接与断开。
[2] Toshiba 2023年6月的调查结果。
[3] 脉冲宽度：tw=10ms，VDS=48V

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