霍尔效应是电磁效应的一种，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。

实验的目的主要有：

1． 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构；

2． 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术；

3． 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。

4． 学习利用霍尔效应测量磁感应强度及磁场分布。

仪器与装置：霍尔效应实验仪

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。仪器轻巧方便，易于携带。

可测试材料: 

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料，低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料，高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。

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