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AP30N06 MOS管 60V 场效应管 N沟道 低结电低内阻 DFN3*3

发布人:13713903715 时间:2023-05-11 来源:工程师 发布文章

The AP30N06 is the high cell density trenched
N-ch MOSFETs, which provide excellent
RDSON and gate charge for most of the
synchronous buck converter applications.
The AP30N06 meet the RoHS and Green
Product requirement, 100% EAS guaranteed
with full function reliability approved.


 Super Low Gate Charge
 100% EAS Guaranteed
 Green Device Available
 Excellent CdV/dt effect decline
 Advanced high cell density Trench
technology










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关键词: MOS 方案

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