据韩媒报道，三星已经花费了大约 2000 亿韩元准备开始制造碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 半导体。消息人士称，支出金额表明这家科技巨头已经可以制造某些芯片的原型。

SiC 和 GaN 被用于最新的电源管理 IC，因为它们比硅更耐用且能效更高。碳化硅因其耐用性而受到汽车行业的高需求；与此同时，GaN 因其快速的开关速度而在无线通信应用中得到更多应用。

三星今年早些时候成立了一个功率半导体工作组，作为其制造 SiC 和 GaN 芯片的第一步。

除了三星芯片业务的人员外，LED 团队和三星高级技术学院 (SAIT) 的工作人员也参与了该工作组。LED 团队也是工作组的一部分，因为 LED 晶圆已经使用沉积机在硅上使用 GaN 和其他氮化物材料。

三星计划用8英寸晶圆制造GaN和SiC芯片；跳过大多数功率芯片制造商已经开始的入门级 6 英寸。MicroLED 也采用 8 英寸晶圆制造；与此同时，SAIT已经拥有与GaN相关的技术。8 英寸晶圆的使用引人注目，因为 SiC 仍然主要使用 4 英寸和 6 英寸晶圆制造；在GaN中，8英寸晶圆正在成为主流。

三星发言人表示，他们与 SiC 芯片业务相关的业务处于“研究阶段”，并补充说，此事尚未做出任何决定。

2025年，全球SiC/GaN功率半导体市场将增至52.9亿美元。

第三代半导体先天性能优越，潜在市场空间巨大

受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足5G****、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。相比之下，第三代半导体GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求，先天性能优越。

据CASA Research数据，消费类电源、工业及商业电源、不间断电源UPS和新能源汽车为SiC、GaN电子电力器件的前四大应用领域，分别占比28%、26%、13%和11%，未来随着下游终端需求不断向好，第三代半导体的需求亦将迎来持续释放，叠加当前国家政策对第三代半导体发展的大力支持，未来行业潜在市场空间巨大。据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，东莞证券预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。

需求确定且巨大，SiC未来数年CARG近50%

GaN和SiC是第三代半导体两大主要材料，GaN的市场应用偏向微波器件领域、高频小电力领域（小于1000V）和激光器领域。由于GaN器件能够提供更高的功率和带宽，并且GaN芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃，能比较好的适用于大规模MIMO（多入多出）技术，GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为5G宏****功率放大器的重要技术。

相比GaN，SiC材料热导率是其三倍，并且能达到比GaN更高的崩溃电压，因此在高温和高压领域应用更具优势,适用于600V甚至1200V以上的高温大电力领域，如新能源汽车、汽车快充充电桩、光伏和电网。

国金证券认为，SiC和GaN当前处于不同发展阶段。对于SiC行业而言，目前整体市场规模较小，2020年全球市场规模约6亿美元，但是下游需求确定且巨大。根据IHS Markit数据，受新能源汽车庞大需求的驱动以及电力设备等领域的带动，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，2020-2027年复合增速近50%。目前制约行业发展的主要成本高昂和性能可靠性。国金证券认为SiC行业一旦到达综合器件成本趋近于硅基功率器件的“奇点时刻”，行业将迎来爆发性增长。

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