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PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕沟MOSFET

发布人：百盛电子01 时间：2022-09-24 来源：工程师

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特点
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。

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关键词： PL2301GD MOSFET

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东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

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罗姆发布第5代碳化硅MOSFET，导通电阻降低30%

据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC ...

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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

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基于新技术电源控制IC的绿色高效高功率密度电源的设计

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电力电子的未来：2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

引言电力电子领域正在飞速发展，MOSFET 晶体管始终处于创新前沿。随着 2026 年临近，这类器件在消费电子、工业系统等众多应用中变得愈发不可或缺。2026 年全球半导体产业规模预计达到 5952 亿美元，正反映出这一...

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碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

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基于SMD封装的高压CoolMOS

20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司最新CoolMOS系列M...

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