MCU 特性：
 -内建 11 阶低电压侦测电路（LVD）。
 -1Kx14 bits EPROM。
 -48 bytes SRAM。
 -4 个 GPIO。
 -GPIO 输入时可选择内建上拉及下拉电阻。
 -输入可选为 TTL/CMOS/无斯密特触发器。
 -GPIO 输出可选择上拉或开漏输出。
 -GPIO 输出可选择小灌电流或大灌电流。
 -GPIO 输出可选择小推电流或大推电流。
 -8 级堆栈。
 -1 个 8 位向上计数器（Timer0），支持预分频。
 -1 个 8 位向下计数器（Timer1），支持重载或连续向下计数。
 -1 路 8 位脉冲宽度调节输出（PWM）。
 -1 个蜂鸣器输出（BZ1）。
 -38/57KHz 红外线载波频率可供选择，同时载波的极性可配置。
 -内建上电复位电路（POR）。 

 -内建低压复位电路（LVR）。
 -内建看门狗计数器（WDT）。
 -双时钟机制，系统可以在高速时钟和低速时钟间切换。
-内部高速时钟：I_HRC（1~20MHz）
-内部低速时钟：I_LRC（32KHzHz）
 -四种工作模式——正常模式（Normal mode）、慢速模式（Slow mode）、待机模式（Standby mode）、睡眠模式（Halt mode）。
-6 种硬件中断——Timer0 上溢出中断、Timer1 下溢出中断、WDT 中断、PB 输入状态改变中断、外部输入中断、低电压侦测中断。
-在待机模式（Standby mode）下可由 6 种中断唤醒——Timer0 上溢出中断、Timer1 下溢出中断、WDT 中断、PB 输入状态改变中断、外部输入中断、低电压侦测中断。

-在睡眠模式下可由三种中断唤醒——WDT 中断、PB 输入状态改变中断、外部输入中断。

其他特性：
 宽电源电压范围 2.1V-3.6V。
 超低睡眠功耗 4uA(WDT 开启，MCU 处于睡眠模式，无线收发器处
于关断模式)。
 ESOP-8 封装。
 极少外围器件，降低系统应用成本。

 封装外壳的底部金属片为芯片地，其必须接在系统公共地上。