"); //-->
概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素
特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM




专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
场效应晶体管的几点使用知识!
用eFuse缓解汽车短路危险
宜普电源转换公司(EPC)推出专为电信、工业及医疗应用的降压转换器演示板
半导体器件基础.2
场效应晶体管的几点使用技巧
EPC新推最小型化的40V、1.1mΩ场效应晶体管,可实现最高功率密度
绝缘栅场效应晶体管长延
VMOS功率场效应晶体管及其应用
输入端采用场效应晶体管
场效应晶体管的分类及作用
场效应晶体管的几点使用知识
2N5457构成的压控增益电路
基于4CCM的场效应晶体管源极输出电路图
用场效应管做有胆味的功率放大器
【课件】常用半导体器件
新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性
场效应晶体管的几点使用知识!
场效应晶体管的分类及使用
绝缘栅场效应晶体管“放
美科学家解开有机半导体性能之谜
波音和通用实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管