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AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管 百盛电子代理商

发布人:百盛电子01 时间:2022-06-18 来源:工程师 发布文章

概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素

特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM


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关键词: AO8810 场效应晶体管

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