"); //-->
以下文章来源于EETOP ,作者Daniel Nenni
英特尔开创了FinFET时代,但此后不久就被代工厂夺走了FinFET的主导权。2009年,英特尔在英特尔开发者大会上推出了22纳米FinFET晶圆,并宣布芯片将在2011年下半年上市。果然,第一款FinFET芯片(代号为Ivey Bridge)于2011年5月正式发布。英特尔22纳米工艺确绝对是一种真正的变革性工艺技术。


英特尔在22nm之后,英特尔推出了14nm,不过这已经推迟了较长时间,而且其产量受到挑战(双重成像技术FinFET),这使得代工厂能够迎头赶上(TSMC 16nm 和三星 14nm)。三星在 14nm 上做得非常好,赢得了相当多的业务,包括苹果iPhone 的一部分。
台积电对 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的双重成像技术之后,台积电在16nm制程上采用了FinFET,密度小于Intel 14nm。三星 14nm 与台积电 16nm 的密度相似,但三星却假装自己能与英特尔竞争。这就是为什么流程节点现在是营销术语,我认为。
这一切都始于我所说的苹果半步过程开发方法。台积电每年都会为苹果公司推出新的工艺版本。在此之前,过程就像美酒,只有在符合摩尔定律的前提下才会被打开。TSMC继续在HVM (7nm)工艺中添加部分EUV层,然后以非常可控的方式将更多的EUV层添加到5nm和3nm,从而实现卓越的良率学习和打破记录的工艺斜坡。
Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”营销战开始的时候。英特尔坚持认为台积电 20nm 是失败的,因为它不包括 FinFET,代工厂不能跟随英特尔,因为他们是 IDM,而台积电只是一家没有内部设计经验的代工厂。
正如我们现在所知,英特尔在很多方面都错了。首先,代工业务是一项服务业务,有一个庞大的合作生态系统,这使IDM代工厂处于明显的劣势。看看英特尔IDM 2.0战略的结果将是有趣的,但大多数人猜测它将比以前的尝试更加失败
现在让我们快速看一看台积电FinFET流程收入从2019年第一季度开始以及随后几年的第一季度对比:

2019 年第一季度,FinFET 占台积电收入的 42%。在 2020 年第一季度,这一比例为 54.5%,在 2021 年第一季度,这一比例高达 63%,您可以预期这种激进的增长趋势将继续下去,原因有以下三个:
(1) 台积电保护他们的 FinFET 工艺,因此没有二次采购。
(2) FinFET 意味着以更低的功率获得更高的性能,鉴于世界面临的环境挑战,更低的功率至关重要。
(3) 台积电正在建设大量的 FinFET 产能(3 年 CAPEX 为 1000亿美元),并且目前半导体短缺非常严重。
底线:台积电正在努力推动其 500 多个客户进入 FinFET 时代,这将再次改变代工格局。
原文:
https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/299878-tsmc-and-the-finfet-era/
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
苹果A20芯片大概率无缘WMCM 封装技术
下一代先进封装的关键抉择
经验点滴之二:烧写器PICKIT
【圣邦微电子】SGM37460Q
Q1服务器CPU均价大涨27% 英特尔被曝出售原本将报废的芯片
芯片比豪车保值? 专家揭硅谷暴利内幕「价格涨疯了」
保证航天飞机起飞 NASA到处寻找8086芯片
KS8999 以太网络交换机芯片
中微半导:发布自研32M bit SPI NOR Flash芯片
基于D类功放专用驱动芯片驱动的高保真纯正弦波逆变器1
am29lv160db芯片烧写/擦除判断位d7不够可靠?!
先进的锂电池线性充电管理芯片BQ2057充电电路
[原创]集成光学/IC模块 -- 将系统级芯片提高到新水平
华为麒麟9030S芯片首发
AI催生“芯片通胀”:2D NAND价格失控,300%涨幅背后的行业博弈
数据中心与消费电子芯片拉动台积电一季度营收增长
DS2413 1-Wire 双通道寻址开关
基于D类功放专用驱动芯片驱动的高保真纯正弦波逆变器
ep7312芯片原理及应用
Dallas实时时钟(RTC)芯片DS1306硬件手册
s3c4510 芯片手册
纳芯微推出 NSUC1527 氛围灯驱动芯片 赋能智能座舱区域化动态光效
Arm遭遇监管危机:FTC针对其技术授权启动反垄断调查
可编程快速充电管理芯片MAX712/ MAX713电路
用MAX610系列AC/DC芯片构成的小功率无变压器稳压电源
预测:全球通信芯片市场2003年将反弹