韩国贸易，工业和能源部（MOTIE）宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外，SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合，SiC和GaN市场将加速增长。

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体市场将看到加速增长的趋势。2月1日，MOTIE宣布，它将加大对研发和基础设施扩展的支持，以从2021年起抢占全球SiC和GaN市场。

同时，国内公司也开始进行一系列相关投资。1月28日，SK集团向YEST的子公司Yes Power Technix投资了268亿。Yes Power Technix成立于2017年，研究和开发SiC器件，其100mm和150mm生产线的SiC晶圆年生产能力为14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收购了杜邦的SiC晶圆业务。

由于带隙大于传统Si半导体的3倍，因此SiC和GaN半导体每单位面积可承受的电压是传统半导体的10倍。作为参考，GaN和SiC的带隙分别为3.4 eV和3.2 eV，远高于当前使用的Si的1.1 eV。

SiC / GaN技术的进步允许使用更小，更节能的芯片和更高的电流速率。展望未来，SiC的采用有望在DC-DC转换和车载充电，工业应用中的功率因数校正以及太阳能逆变器中加速应用。在与SiC有关的行业中，重点企业包括韩国的RFHIC，Metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半导体和Rohm。

GaN和SiC时代即将到来

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