近期，有媒体报道称，消息人士表示，长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。此外，计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆。

当然，消息补充称，由于192层工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。

对于上述消息，长江存储不予置评。

从追赶者到业界领先水平，长江存储仅用了不足5年时间

众所周知，在存储芯片制造领域，国内几乎处于“空白”，2016年长江存储的成立就肩负着填补这一空白的重任。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。至此为止，长江存储依然扮演的是追逐者的角色。

直到今年4月初，长江存储率先发布两款128层3D NAND 产品，分别为：容量为1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和容量为512Gb的128层TLC 3D NAND闪存，这代表着当时业界最高存储密度、最高I/O传输速度、单颗Die最高容量。

媒体报道称，长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空间。

目前，长江存储128层3D NAND的传输速率能够达到1.6GT/s，业内人士预估，下一代192层产品的传输性能将大于2GT/s。

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下一代闪存技术的较量已经拉开帷幕，长江存储有望获得优势

2020年各大原厂均在100+层3D NAND取得实质性进展，其中，三星已经将其第六代1XX层V-NAND应用于消费类及数据中心市场；西部数据/铠侠成功推出112层堆叠的BiCS5 3D NAND；英特尔也在2020年底推出采用144层TLC、QLC 3D NAND的SSD产品。

对于下一代闪存技术，美光步伐最快，于去年11月份宣布开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash，与上一代128层3D NAND技术相比，将读取延迟和写入延迟改善了35%以上，基于ONFI接口协议规范，最大数据传输速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作负载性能提高15%，紧凑设计使裸片尺寸减小约30%，每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。

SK海力士紧随其后，宣布成功开发出176层512Gb TLC 4D NAND，并已在去年11月份给主控厂商提供样品，预计2021年中将有基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品面世。

而三星虽然没有官方消息证实其第七代V-NAND技术，但是早有媒体报道称，三星将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数并未透露。西部数据/铠侠与英特尔的下一代闪存技术依然十分“神秘”。

根据当前信息，若长江存储当真将在今年年中率先试产第一批192层3D NAND闪存芯片，意味着其很可能成为全球首家推出192层3D NAND的厂商，代表着长江存储再一次取得历史性突破，并有可能在下一代闪存技术的较量中处于领先地位。

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