FCPF190N60资料
标准包装： 50 系列： SuperFETII FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 20.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 199 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2950pF @ 25V
功率 - 最大： 39W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220F

包装： 管件 

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