1． 整机原理图设计时各功能电路要区分明确，以便于电路分析。

2． 各部分是否尽量使用更低速的器件？(如74HC14的Tr=Tf=6ns而74AHC14的Tr=Tf≤3ns，这时我们就要考虑尽量选用74HC14而不是74AHC14.)

3． 对DVD机芯的干扰是否有EMI对策，原理图上要明确标注。

解释说明：DVD机芯的干扰主要是激光头电路本身产生的干扰（不同厂家的机芯干扰程度不一样），激光头的干扰通过较长的激光头扁平线形成天线辐射，所以要在电路上加小电容减少扁平线的天线效应，

如下图：

4． DVD机芯电源要有EMI对策，不但要明确标注而且要注明Layout 时的放置位置。

解释说明：由于激光头读取信息时电源瞬间变化所产生的干扰很大。机芯电源要求就近有能提供瞬态电流的电容。如下图虚线框内的EMI对策，有的机芯电路有好几个电源，每个电源都要有电容滤波，至少要有一个102---104的电容。

5． 原理图上要标注各功能块的工作电压，尤其是时钟信号工作频率要描述清楚？（如：解码芯片、RAM芯片、DC/DC等）

解释说明：原理图上标注清楚工作电压和信号频率不但有利于原理图的评审，对PCBLayout也有很大的指导作用。

6． 对于干扰较大的3、5次谐波频率在230MHz左右的时钟频率能否调整？（要求F3、F5＞230MHz+20MHz）

解释说明：因为CE辐射测试标准里有两个频率段（30MHz----230MHz和230MHz---1GHz），高段比低段要求低7Db。在EMC整改时要降7DB需要增加很多对策，尤其是针对LCD屏的干扰，我们很难对屏进行处理。

如下图有一个时钟的谐波在225MHz左右超标6db。如果时钟频率稍改大一点使其落在230MHz以后，那么EMC整改就容易多了。所以如果时钟频率能调的话，就尽量使干扰较大的频率其3、5次谐波大于230MHz。

7． 对较高频率是否有EMI对策？如RAM时钟等。

解释说明：工作频率比较高的时钟信号不但其产生的谐波辐射很大，其本身的基波辐射也很大，所以原理图上一定要有EMI对策。如MTK1389与DRAM的工作时钟， 频率为108MHz/128MHz/135MHz，在原理图上要串联电阻和并联电容到地。如下图所示。

8． 振荡电路里晶振的输出脚要串联EMI磁珠。

解释说明：晶振的输出脚一般都会有谐波分量产生，EMI磁珠对高频信号存在很大的阻抗，使得时钟信号的基波通过，高频谐波分量被衰减，如下图虚线框内对策。

9． 地址/数据线要串联电阻。

解释说明：在EMI测试时常发现一些密集噪声干扰，如下图。密集噪声干扰与电路中的晶振、主频信号没有很大关系，属总线干扰。是因为总线匹配和布线的问题，适当调整匹配电阻，并在layout时有针对性地对地址/数据总线处理可有效减少总线上的干扰。见下图。

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