4月9日，处在舆论中心的赵伟国在2018 CITE大会上透露，武汉长江存储基地即将开始移入生产设备。

果然，时隔一天，4月11日，紫光集团旗下武汉长江存储以“芯存长江，智储未来”为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。据悉，完成装机后，长江存储将实现32层存储器小规模量产。

2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现3D NAND量产。

中国自身对半导体芯片需求庞大，尤其是存储器，华为，联想等终端制造商，百度，腾讯，阿里巴巴等互联网巨头，再加上中国物联网，人工智能，机器人等产业的快速发展，都加大了对半导体芯片的需求。

芯片国产化一直都是中国的一个重要战略目标，长江存储存储器一期厂房建设的完工以及厂房正式移入生产设备，代表着国产存储正式进入正轨。

据悉，国家存储器基地一期规划投资240亿美元，将建成3座总产能达到30万片/月，全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存生产厂房。

在长江存储发展规划中，第一阶段长江存储将以 3D Nand Flash 做为切入点，通过技术合作支持争取快速发展，第二阶段目标到 2020 年月产能达到 30 万片，赵伟国称藉此长江存储将能进入世界内存企业的第一梯队，这阶段将能贡献中国芯片制造自产率的 8%，中国目标在 2020 年芯片自给率要达到 40%。

赵伟国曾透露，准备筹集3700亿的资本，来应对这5年的发展，现在已经筹集了1800亿人民币，其中武汉800亿，成都、南京两个基地各500亿元。还剩的1900亿计划通过在重庆注册资本1000亿的大公司来募集。

中国存储器三大阵营成形

算上在紫光在南京和成都宣布再建的两个存储器基地，还有武汉长江存储的32层3D NAND闪存，福建晋华的是32纳米的DRAM利基型产品，以及合肥长鑫(睿力)的19纳米 DRAM，总计己有五家企业，而且三家都声称2018年底前将实现试产，开通生产线。

还记得当时中国半导体业要上马存储器芯片制造，大多数人持谨慎态度，最根本的原因是存储器行业竞争太激烈。

从目前的形式看，存储器的成功与否，这3~5年将是极其重要的关键期，中国政府和厂商要联合起来，通过内需市场，优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，争取机会在全球立足并占有一席之地。

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