专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 重负载导致了电源突降解决方法(MOS开关管的使用)

重负载导致了电源突降解决方法(MOS开关管的使用)

发布人:hawkdtw 时间:2014-07-09 来源:工程师 发布文章

昨天碰到了一个MOS开关管使用的问题:


解决方案【1】

由于Vout外接大容性负载,很容易造成Vin上的冲击/急剧跳变,以至于会降至Vmax/2以下,所以需要添加电阻R2、C1使MOS管“慢慢”打开,同时,也缩短Vout由“0”到“1”的上升时间,使由Vout供电的器件能够被可靠的上电复位。

 

解决方案【2】

以上电路还可以进一步改进,在开关管的输出端串联一个电感,改善这种由于重负载造成的电源突降,如下图。

串接电感

解决方案【3】

不过,以上方法并不完美,比较好的处理方法是,将MOS开关管前的电压用一路LDO,供应不大的电流给MCU,MOS开关管后面的电压用一路带有使能端的开关DC/DC,供应较大的电流给外围器件,这样能彻底避免由于重负载造成的电源突降。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词:

相关推荐

英飞凌荣获DENSO商业合作伙伴奖

汽车电子 2025-07-18

MSP430 指令系统(二)

视频 2010-03-17

MSP430 学习套件(九)

视频 2010-03-17

MSP430 指令系统(三)

视频 2010-03-17

MSP430 学习套件(十)

视频 2010-03-17

嵌入式 Internet 设计

嵌入式ARM内核概述

复旦大学携手复旦微电子集团签署战略合作协议

Bourns 发布全新大功率金属片电流检测电阻,采用 SMD 2010 紧凑型封装

东芝推出输出耐压1800V的车载光继电器

英伟达:要取代我?其实CUDA也支持RISC-V

嵌入实时操作系统Pencil微机版软件1.0

嵌入式bootloader详解

iDEAL的SuperQ技术正式量产,推出150V与200V MOSFET

MSP430 指令系统 (一)

视频 2010-03-17

包云岗:RISC-V产业应用的观察与思考

柯马自建干燥室,推进电芯制造解决方案的国际化发展

“开放、聚合、超越”上海RISC-V生态街区规划正式发布

新思科技完成对Ansys的收购

EDA/PCB 2025-07-18
更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区