交流阻抗技术是最常用的电容测量技术[1]。它最适合于一般的低功率门电路，也适用于大多数测试结构和大多数探针。其优势在于所需的设备相对便宜，大多数电子实验室都可以直接找到。但是，它也有一些缺点，例如它的校正方法不如射频测量中使用的校正方法那样精确。另外一个明显的缺点是要求交流阻抗的测试频率必须接近DUT的工作频率，否则必须内插一些测量结果。

尽管准静态C-V是最所有测量方法中最廉价的，其中只需要使用一对SMU，但是它适用的技术范围是有限的，例如低漏流[2]高k材料、有机器件或显示器领域。不幸的是，在准静态C-V测量中，测量误差[3]很容易破坏测量结果，尤其对于具有少量漏流器件的特征分析是不准确的。

射频C-V测量是超薄栅、漏电电介质特征分析的最佳选择。它还适用于射频器件的建模。射频探针[4]的矫正方法很容易理解和实现。射频方法的不足之处在于它需要非常昂贵的设备、测试结构和射频探针；此外，它只适用于特征阻抗为50欧姆左右的传输线。如果器件阻抗并不是十分接近50欧姆，这种方法就不准确了。对于某些应用和用户而言，射频测量的配置和分析过程可能太复杂了；在这些情况下，经典的交流阻抗测量方法可能更适合。

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