- 日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低欧姆值的产品，扩充其MC系列专业和精密薄膜片式电阻。这些改进后的器件可为各种各样的电子系统提供稳定的性能。
现在，0402外形尺寸的专业和精密系列产品可以分别提供低至10Ω到100Ω的阻值，所有产品都具有良好的TCR和容差。采用0603外形尺寸的专业和精密系列电阻可以提供低至1Ω的更低阻值，TCR为±50ppm
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Vishay 薄膜片式电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0402和0603外形尺寸的具有更低欧姆值的产品，扩充其MC系列专业和精密薄膜片式电阻。这些改进后的器件可为各种各样的电子系统提供稳定的性能。
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Vishay TCR 电阻
- 2013 年 11 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的光电子事业部推出专用演示套件，可演示使用一个数字式接近传感器和两个分立的红外发射器，为任意设备增加非接触式向右划、向左划、探测距离和进行点击操作的简化方法。演示套件现可订货。
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Vishay 传感器 发射器
- 2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD侧视封装的新款940nm高速红外发光二极管---VSMY14940和VSMB14940。这两款器件基于GaAIAs表面发射器和多量子井(MQW)技术，具有高发光强度和光功率，以及快速的开关时间。
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Vishay 二极管 发射器
- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω
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Vishay CMOS 导通电阻
- 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。研讨会将在中国武汉的长江大酒店召开。
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Vishay MOSFET
- 2013 年 10 月18 日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出在满功率情况下工作温度达+155℃，在+250℃下线性降额至0W功率的新款精密车用薄膜片式电阻---PATT。该电阻通过AEC-Q200认证，工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调后的容差只有±0.1%。
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Vishay 电阻 PATT 薄膜片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用铁粉的、符合WPC(无线充电联盟)标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832EC-50，可适用于有对准磁铁或者没有对准磁铁的设计使用条件。该款无线充电接收线圈具有耐用的结构和高磁导率屏蔽，给7V电压的便携式电子产品充电时的效率超过75%。
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Vishay 接收线圈 IWAS-4832EC-50
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，强化其采用标准0402～1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计，具有低至±10ppm/K的TCR和1Ω～1MΩ的阻值。
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Vishay 电阻 MC AT
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于安全认证应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ Safety。该系列器件采用C0G(NP0)和X7R电介质，每款器件提供X1/Y2和X2安全分级，电压达到250VAC。
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Vishay 电容器
- 该器件用于智能手机和平板电脑充电器，采用TO-277A（SMPC）封装宾夕法尼亚、MALVERN—2013年9月4日...
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Vishay 整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件，扩充其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降，针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装，封装的占位与D2PAK(TO-263)一致，且典型高度更薄，只有1.7mm。
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Vishay SMPD 整流器
- 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款高电流密度的50V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。这两款器件是业内首批在10A和15A下的典型正向压降低至0.40V和0.41V，兼具优化的漏电流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封装，可用于智能手机和平板电脑的充电器。
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Vishay 整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出用于手势遥控应用的新款高功率高速940nm红外发射器---VSLB9530S，扩大其光电子产品组合。该器件在100mA电流下的发射功率达40mW，采用透明的模塑引线TELUX封装和卵形透镜，在垂直方向和水平方向的半强角分别达到±18°和±36°。
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Vishay 红外发射器 VSLB9530S
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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