- 2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET Si7157DP
- VishayIntertechnology,Inc.宣布，扩大其用于高温应用的VJX8R系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)。为节...
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Vishay 高温环境 电容器
- 2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 导通电阻
- 2013 年 12 月23 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可编程开关频率高达4MHz的新款5A器件---SiP12108，扩大其microBUCK®集成式同步降压稳压器系列。
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Vishay 稳压器 SiP12108
- 日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，对用于消费类产品中红外遥控应用的TSOP36...系列小型表面贴装红外接收器的性能进行了升级。TSOP36…系列的最小发光强度达到0.12mW/m2，灵敏度比前一代器件高20%，可在有红外3D电视信号和其他噪声的情况下使用，并提高了对这些信号和噪声的滤光功能。
今天发布的这些器件采用新一代集成电路，提供了5个针对短编码和长突发编码的自动增益控制(AGC)版本。TSOP361..和TSOP
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Vishay 红外接收器
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 电容器 159 PUL-SI
- 2013 年 12 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的光电子事业部推出采用PLCC-2封装的最新产品---VLM.334…，该系列LED能够处理更高的驱动电流，从而提高发光强度。
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Vishay LED
- 2013 年 12 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列不锈钢制动/撬棒电阻---ULDCR电阻，电阻可承受3.46MJ的脉冲能量和12kA的脉冲电流，适用于新能源和其他重载应用。Vishay还可以根据定制指标提供更高脉冲负载能力的版本。
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Vishay ULDCR 电阻
- 2013 年 12 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，对用于消费类产品中红外遥控应用的TSOP36...系列小型表面贴装红外接收器的性能进行了升级。TSOP36…系列的最小发光强度达到0.12 mW/m2，灵敏度比前一代器件高20%，可在有红外3D电视信号和其他噪声的情况下使用，并提高了对这些信号和噪声的滤光功能。
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Vishay 红外接收器
- 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 2013 年 12 月6 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，为其PRA系列高精度薄膜表面贴装卷包片式电阻阵列增添073--- PRA073和074--- PRA074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8个不同欧姆值的电阻，是业内尺寸最小的此类器件，具有0.01%的严格公差比和1ppm/℃的TCR Tracking。
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Vishay PRA 电阻
- 2013 年 12 月3 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列高精度薄膜MELF电阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是针对对高可靠性和稳定性有严格要求的应用而设计的，是业内首款在标准0207外形尺寸内实现±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF电阻。
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Vishay UMB MELF电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
- 2013 年 11 月26 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用低外形SMF封装的新系列表面贴装ESD保护二极管---SMFxxA系列器件。该系列器件可用于便携式电子产品，在10/1000μs条件下可承受200W的高浪涌。
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Vishay SMF ESD
- 2013 年 11 月25 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0603和0805外形精巧的新器件，功率等级分别达到0.375W和0.675W，扩展其PHP系列精密高功率薄膜片式电阻。Vishay Dale薄膜器件兼具高功率和达到±25ppm/℃绝对低值的TCR，容差低至±0.1%，可在-55℃～+125℃温度范围内工作。
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Vishay 薄膜片式电阻
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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