日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常
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Vishay TNPW0402 传感器 RoHS E-96
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可编程开关---Vishay Siliconix SiP12109，其频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSFET，为设计者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款通过AEC-Q101认证的配对高速940nm红外发射器和硅PIN光电二极管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm x 2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度为1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度为0.6mm，是业内高度最低的侧视产品
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Vishay 红外 PIN VSMB AEC-Q101
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有转换速率控制功能的6.5mΩ双向电池开关--- SiP32101，可在便携式电子设备、医疗设备和仪器仪表中用来隔离低压电池。在这些空间受限的应用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能节省91%的PCB空间，在小尺寸12凸点WCSP封装内实现了低导通电阻和超低静态电流。
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Vishay SiP32101 双向
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，扩充其TANTAMOUNT®低ESR TR3和标准工业级293D系列固钽表面贴装片式电容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的电压提高到75V。来自于Vishay Sprague的该款器件是业内首个75V模塑钽电容器，是为满足在+28V和+35V应用中降额50%额定电压而设计的。
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Vishay 模塑钽电容器 表面贴装片式
2014 年 2 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用该公司IHLP® 技术制造，可用于SEPIC DC/DC转换器和其他应用的新系列组合耦合电感器。
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Vishay 电感器 LED IHCL
2014 年 2 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器--- VSMY98545，扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight™表面发射器芯片技术，集成镜片，具有高驱动电流、高发光强度和高光功率，同时具有低热阻。
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Vishay 发射器 VSMY98545
2014 年 2 月18 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有更强稳定性的新系列SMD NTC热敏电阻---NTCS....E3...SMT，可用于温度检测和补偿电路。
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Vishay 热敏电阻 NTC
2014 年 2 月17 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出7个新的45V和50V器件，扩充其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用，具有3A～8A的电流等级和低正向压降，采用薄外形表面贴装DO-221BC(SMPA)封装。
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Vishay 整流器
2014 年 2 月13 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布用于高功率表面贴装射频应用的新系列厚膜片式电阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸，在+70℃和标准印制板贴装情况下的功率等级为1W，采用主动式温度控制后，功率等级可达11W。
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Vishay RCP 电阻
2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET Si7157DP
VishayIntertechnology,Inc.宣布，扩大其用于高温应用的VJX8R系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)。为节...
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Vishay 高温环境 电容器
2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 导通电阻
2013 年 12 月23 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可编程开关频率高达4MHz的新款5A器件---SiP12108，扩大其microBUCK®集成式同步降压稳压器系列。
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Vishay 稳压器 SiP12108
日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，对用于消费类产品中红外遥控应用的TSOP36...系列小型表面贴装红外接收器的性能进行了升级。TSOP36…系列的最小发光强度达到0.12mW/m2，灵敏度比前一代器件高20%，可在有红外3D电视信号和其他噪声的情况下使用，并提高了对这些信号和噪声的滤光功能。
今天发布的这些器件采用新一代集成电路，提供了5个针对短编码和长突发编码的自动增益控制(AGC)版本。TSOP361..和TSOP
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Vishay 红外接收器
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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