日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款通用扁绕功率电阻---EDGU。通用的贴装EDGU电阻可方便地直接替换竞争产品，兼具高可靠性设计和在85A电流下连续工作的能力，可承受5秒钟的相当于10倍额定功率的短时过载。
Vishay Milwaukee EDGU采用卷在边缘的电阻合金带状导线，导线被撑在专门设计的瓷质绝缘子上，绝缘子具有适当的匝到匝间距和保持到支撑杆的绝缘。器件的开放式线圈结构能够实现高效散热，能承受过载和浪涌。E
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Vishay 电阻 EDGU
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于军工和航天应用的TANTAMOUNT®表面贴装固钽模塑片式电容器的新Hi-Rel系列产品---T42。Vishay Sprague T42系列提供符合MIL-PRF-55365要求的高可靠性和浪涌电流测试选项，内置熔丝可实现自动防故障操作，兼具高容量和高电压，在+25℃和100kHz条件下ESR低至80mΩ。
T42产品数据表链接地址：http://datasheet.e
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Vishay T42 电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30
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Vishay 电阻 SiA453EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在+180℃高温下连续工作的新款车用级IHLP®低外形、大电流电感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay Dale IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸为2525，高度低至3.0mm，感值范围从0.47μH到22μH。 今天推出的器件通过AEC-Q200认证，频率高达1MHz，可在高温汽车应用里当作电压稳压模块(VRM)和DC/DC转换器的高效能、节省空间和能源解决方案
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IHLP 电感器 Vishay
器件适合音响和医疗应用，具有12W高功率等级和+350℃的工作温度。宾夕法尼亚、MALVERN—2014年4...
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Vishay 绕线电阻 音响
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可用于医疗成像设备和高端音响的新系列无磁、无感轴向引线的绕线电阻---MRA系列，电阻的功率等级高达12W，可在+350℃高温下工作。 Vishay Mills MRA系列器件来自Vishay Dale电阻事业部，采用无感和全焊接结构，适用于射频和运算放大器应用，能够大大增强频率响应。结合无感的Ayrton-Perry线圈，器件几乎没有感抗和信号损失。 电阻在25℃下的功率等级
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Vishay 医疗电子 MRA 放大器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，发布用于DC-link应用的新款环境友好的金属化聚丙烯膜电容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范围、小尺寸占位，电压等级从500V到1200V。 凭借单位体积的高容量和在+70℃、标称直流电压下超过10万小时的长寿命，经济实用的MKP1848C非常适合可再生能源逆变器、电机驱动和电源等工业电源应用。 DC-link电容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引线间隔的自感小于1nH，可承受高
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Vishay 电容器 MKP1848C
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术，具有高功率等级和低至±25ppm/℃的绝对TCR，在-55℃～+125℃宽温条件下，经过激光微调的公差低至±0.1%。 PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限，使这款器件非常适合军工、航天、电信和工业应用的低噪声、高精度控制系
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Vishay TCR PTN
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最
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Vishay TNPW0402 E-96 薄膜技术
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。 今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常
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Vishay TNPW0402 传感器 RoHS E-96
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可编程开关---Vishay Siliconix SiP12109，其频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSFET，为设计者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款通过AEC-Q101认证的配对高速940nm红外发射器和硅PIN光电二极管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm x 2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度为1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度为0.6mm，是业内高度最低的侧视产品
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Vishay 红外 PIN VSMB AEC-Q101
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有转换速率控制功能的6.5mΩ双向电池开关--- SiP32101，可在便携式电子设备、医疗设备和仪器仪表中用来隔离低压电池。在这些空间受限的应用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能节省91%的PCB空间，在小尺寸12凸点WCSP封装内实现了低导通电阻和超低静态电流。
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Vishay SiP32101 双向
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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