Vishay推出最低导通电阻的新款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。

　　2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量，其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的导通电阻，可用于超便携、电池供电的产品。MOSFET适用于智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入式便携医疗产品、硬盘驱动器，以及电动牙刷、刮胡刀，扫描仪和RFID读写机具等手持消费电子产品中的负载和输入过压保护开关、电池充电器、DC/DC转换器。对于这些应用，SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V)、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的极低导通电阻，内建ESD保护达到4000V。

SiA453EDJ的数据表链接地址：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121118

　　SiA453EDJ在4.5V下的导通电阻比最接近的-30V器件低36%，比使用12V VGS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的导通电阻比仅次于这款器件的12V VGS器件低46%。这些业内最低的数值使设计者能在电路里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池使用寿命。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封装能节省非常重要的PCB空间。

　　MOSFET进行了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。