- 随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求，为填补供应链中此一环节的不足，在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」，其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺，在本月已有数家客户稳定投片进行量产，在线生产良率连续两月高于99.5%。 同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺，在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上，除了提供溅射沉积(Sputteri
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宜特 MOSFET
- 1 引言
MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，
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MOSFET 并联 电流 分配
- 在电动和混合动力汽车中，需要一种方法将高压电池与车辆的其他部分断开连接。专门设计的大电流继电器(接触器)历来一直是执行此功能的首选方案。此继电器的设计必须支持在负载下断开连接，而不受损坏。这是通过使用带有真空封装触点的继电器来实现的。这些接触器通常充满惰性气体，包围触点以消除空气。通常，在高压电池系统中，需要三个接触器：一个用于两个主要电池导体，另一个更小的版本用于预充电功能。传统的电池断开电路图如图1所示。 电动汽车制造商长期以来一直希望有一种更小、更轻、更便宜的方案，以解决电池断开问题。功率半导
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MOSFET，混合动力
- MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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开关电源 BJT MOSFET
- 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 数据 电感器 连续电流
- 本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解，希望对您的学习有所帮助。对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不
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MOSFET 电源
- 在电子电路设计中，散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下，空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
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大功率电 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用，此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式，在今天的文章中
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MOSFET 驱动电路 电源
- 功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升，在一些中小功率的开关电源产品中，利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力，还具有
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MOSFET 驱动电路 设计
- 功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用，而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说，怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环，需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助
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MOSFET IGBT 隔离驱动
- 摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间
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MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
- 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，S
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MOSFET 笔记本电源 降压变换器
- 在传统应用领域，功率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变，实现家电工业转型升级，优化产业结构。而随着物联网、云计算、新能源、节能环保等新兴产业的高速发展，新兴领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
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功率半导体 MOSFET
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