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vd-mosfet 文章 进入vd-mosfet技术社区

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  • 　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。　
  • 关键字： Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  • 　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字： Vishay  MOSFET  

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

  • 　　世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。　　主要应用　　w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组　　w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天　　SiC MOSFET系列　　产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
  • 关键字： 新能源汽车  MOSFET  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。　　SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

  • 　　专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。　　贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
  • 关键字： 贸泽  STMicroelectronics  MOSFET  

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。　　日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
  • 关键字： Vishay  MOSFET  

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。　　Vishay
  • 关键字： Vishay  MOSFET  

稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

  • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统
  • 关键字： 意法半导体  MOSFET  

Vishay业界领先车规产品将在2019 Automotive World日本展上悉数亮相

  • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive World日本国际汽车展上，展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”为主题展示各种车规产品，包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。　　Vishay亚
  • 关键字： Vishay  转换器  MOSFET  

意法半导体高效超结MOSFET瞄准节能型功率转换拓扑

  • 　　意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。　　针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16 nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。　　此外，意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω，有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
  • 关键字： 意法半导体  MOSFET  

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  • 　　随着汽车中电子系统数量的成倍增加，车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此，新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准，该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质，开关电源充斥着 EMI，并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今，低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起，成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求，同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字： Littelfuse  MOSFET  
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