- 对于消费市场来说，成本永远都是令购买者最在意的一件事。日渐普及的SSD，当然也必须面对这样的市场声浪。TCL NAND目前已经是SSD降低成本的重要关键，当然，如何能让TLC架构在维持低成本的同时，还能兼具效能与稳定性，也成为了相关厂商正积极竞逐的目标。
美光科技(Micron)储存事业部行销总监Kevin Kilbuck指出，因应消费市场的需求，美光也针对高性能、高可靠性，且极注重成本的消费性应用，提供了量身订制的解决方案。全新的快闪记忆体产品，是采用16nm制程技术的TLC NAND，能让U
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美光 TLC
- 传统的HDD机械式硬碟，由于机械式结构的复杂结构造成整体的不稳定性，加上读写速度始终存在着瓶颈，这些原因使得SSD逐渐有机会加速淘汰传统HDD硬碟，在更多领域发挥快速读写、稳定存取的优势。
Marvell的DRAMless架构，让SSD可以达到更小巧的体积。图中正是128GB的SSD。
Marvell SSD事业群副总裁David Chen指出，比起SSD，传统硬碟唯一的优势，只在于容量。然而一旦针对稳定性与速度的话，传统硬碟一点胜算都没有。而目前随着新一代的T
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Marvell TLC
- 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，Intel的技术人员在会议上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。
这场会议在深圳JW万豪酒店举行，参与会议的有相当多的业内朋友。来自Intel美国的产品工程经理Todd Myers，NAND产品交易开发工程师Tod
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SSD TLC
- TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
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TLC NAND
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。
三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。
在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND
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三星 TLC NAND
- 三级单元(triple-level cell;TLC)快闪记忆体在进入客户端市场两年后，预计将进一步在资料中心获得动能。但长期来看，由于 3D NAND 逐渐取代，传统的 NAND 记忆体成长开始趋缓。
截至目前为止，TLC主要用于 USB 驱动器、快闪记忆卡、低成本智慧型手机与客户端固态固碟(SSD);不过，市调公司Forward Insights首席分析师Gregory Wong指出，市场上目前已经看到 iPhone 6 开始采用了，预计它将在2015-2016年进一步渗透到高阶智慧型手机与
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TLC 存储器 Gartner
- 由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水平的提升，其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平，存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。
日前，镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
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NAND MLC TLC
- 固态硬碟(SSD)价格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技术逐渐扩散，带动储存容量扩大，并加速SSD大众化时代的来临。
据ET News报导，SSD将形成半导体新市场，价格跌幅相当明显。外电引用市调机构IHS资料指出，256GB容量的SSD平均价格在2014年第3季时为124美元，与2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若与2012年相比则减少45.1%。
南韩业界认为，目前价格69美元、容量128GB的SSD，在2015年价格将降低至50美元以下。
南韩Woor
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3D NAND SSD TLC
- 11月9日，随着关于iPhone6+功能缺陷的争论高涨，苹果已决定停止使用TLC NAND闪存技术。 据业内人士11月6日透露，苹果已经决定停用TLC NAND闪存技术。苹果认为，困扰64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷缘于TLC NAND闪存控制芯片中的一个问题。这种控制芯片据称是由SSD制造商Anobit制造的，该公司在2011年被苹果收购。
TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍，是MLC存储器的1.5倍。最重要的
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苹果 iPhone 6 TLC
- 三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。
遗憾的是，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次)，而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量，再加上写入放大的缘故，根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法
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三星 闪存 TLC NAND
- 1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数
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CMOS 5510 TLC 工艺
- 1 TLC5510简介TLC5510是美国德州仪器(TI)公司的8位半闪速架构A/D转换器，采用CMOS工艺，大大减少比较器数。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采样率，可广泛应用于高速数据转换、数字TV、医学图像、视频会议以及QAM解调器等
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5510 TLC 高阻抗 并行接口
- 英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜，有2000-5000次擦写寿命，非常适合U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量，芯片面积131平方毫米，比25纳米制程MLC还小20%，以下是图像：
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英特尔 25nm TLC
- TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器。它采用CMOS工艺，具有内在的采样和保持，采用差分基准电压高阻输入，抗干扰，可按比例量程校准转换范围，总不可调整误差达到±1LSB Max（4.8mV）等特点。
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1549 8051 TLC 串行控制
- 介绍了Σ-Δ型ADC和DAC的特点及构成，并详细论述了Σ-Δ型立体声ADA电路TLC320AD75C的模拟与数字音频数据接口技术、DAC的串行控制接口技术及该类器件的使用注意事项。
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ADA 320 75C TLC
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