- 串行外设接口 (SPI) 总线是一种运行于全双工模式下的同步串行数据链路。用于在单个主节点和一个或多个从节点之间交换数据。SPI 总线实施简单，仅使用四条数据信号线和控制信号线（请参见图 1）。
图 1 基本的
- 关键字：
SPI 总线 文章 系列 接口 数字
- SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线，在芯片的引脚上...
- 关键字：
FPGA SPI 复用配置 存储器
- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系统中的应用, NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器，具有ROM存储器的特点，存储在该芯片中的数据可在断电情况下维持10年不丢失，而芯片的引脚与访问又具有类似于RAM的特点。NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线
- 关键字：
系统 应用 嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH
- FPGA中SPI复用配置的编程方法, SPI(Serial Peripheral Interface，串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线，在芯片的引脚上只占用4根线，不仅节约了芯片的引脚，同时在PCB的布局上还节省空间。正是出于这种简单、易用的特性，
- 关键字：
编程 方法 配置 复用 SPI FPGA
- 基于SPI方式DSP外部E2PROM接口设计,0 引 言
近年来，随着DSP技术的普及、高性能DSP芯片的出现，DSP已越来越多地被广大的工程师所接受，并越来越广泛地被应用于各个领域，例如：语音处理、图像处理、模式识别及工业控制等，并且已日益显示出其巨大
- 关键字：
E2PROM 接口 设计 外部 DSP SPI 方式 基于
- 为中芯解开多年无法突破的经营困境，而与台积电未来如能合作，将会是个双赢的局面。张汝京的下台，为台积电、中芯国际都找到下一个春天。
11月11日，台湾有四家报纸的头版头条报道了同一则新闻：中芯国际创办人、执行长张汝京宣布辞职;董事会即刻宣布由王宁国接任执行董事兼集团总裁、首席执行官。全世界最大的晶圆代工厂台积电入股中芯半导体10%的股份。
中芯将分5年赔偿台积电2亿美元，并且无偿授予台积电8%的中芯股权，且台积电另可在3年内以每股1.3港币的价格认购2%的中芯股权。
这件事情所以在台湾
- 关键字：
中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 基于eCos操作系统的FLASH驱动程序分析与移植,0 引 言
嵌入式系统需要支持的外部设备种类繁多，如何构造运行良好的嵌入式设备的驱动程序，对嵌入式操作系统的实际应用有重要意义。eCos是一种源代码公开的实时嵌人式操作系统，对嵌入式应用具有良好的支持，内
- 关键字：
分析 移植 驱动程序 FLASH eCos 操作系统 驱动
- 0 引 言
随着信息技术的发展，嵌入式系统越来越广泛地应用于手机通信、汽车、航空航天、工业控制等领域。在这些电子产品中，大多以嵌人式微处理器为核心，配套相关的外围辅助设备，对控制对象进行软硬件的功能
- 关键字：
编程 设计 实现 FLASH 外部 模式 MPC5554 JTAG
- 0 引 言
TMS320DM642是TI公司推出的一款高性能的数字多媒体处理器，具有二级存储器和高速缓冲器，以及超长指令字结构。其运算速度快、体积小、功耗低的优点使得它在多媒体处理领域得到了广泛的应用。开发基于
- 关键字：
FLASH 642 DM 二级
- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
- 关键字：
中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 延长Flash存储嚣使用寿命的研究,引 言
随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用，Flash存储器已经逐步取代其他半导体存储元件，成为嵌入式系统中主要数据和程序载体。Flash存储器又称闪存
- 关键字：
寿命 研究 使用 存储 Flash 延长
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 6 款最新数模转换器 (DAC)，其可提供 12、14 以及 16 位版本，并采用 SPI 或并行接口。8 通道 DAC87x8 系列在正常模式下的标准功耗为每通道 14.8 mW，而在断电模式下单位通道功耗则低至不足 170 uW。内部 4x 或 6x 可编程增益能够在整个 8 通道上实现双极 ±16 V 或单极 0 V 至 33 V 电压输出范围，从而无需外部放大器。与同类竞争器件相比，其不但可节省成本，而且还可将板级空间锐降约 24%，可充分满足
- 关键字：
TI DAC SPI
- 市场研究机构水清木华日前发布“2009年手机内存行业研究报告”指出，NOR闪存在512Mb是个门槛。高于350Mb，NOR闪存的成本飞速增加。同时，NOR闪存的应用领域单一，应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大，成本优势越明显，应用领域更广泛，应用厂家也多。手机市场变化迅速，现在每一款手机的生命周期通常都小于5年，NOR最强大的优势“长寿”也不复存在。尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降，但是专心NOR领域的只有Spansion。而NAND
- 关键字：
手机 NAND NOR
spi nor flash介绍
您好，目前还没有人创建词条spi nor flash!
欢迎您创建该词条，阐述对spi nor flash的理解，并与今后在此搜索spi nor flash的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
