- 英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。
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英飞凌 MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
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Diodes MOSFET
- 高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开
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MOSFET 高压 合适 选择 应用
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC 应用。
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IR MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。
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IR MOSFET
- 据IHS iSuppli公司的研究，由于工业与消费领域的需求增长，中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场未来几年将快速增长，2014年销售额将从2009年的4.297亿美元上升到9.75亿美元，增长一倍以上。
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IGBT MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。
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IR MOSFET
- 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 级) 版本，该器件是一款6A N 沟道MOSFET 栅极驱动器，在-55°C 至125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N 沟道MOSFET 或多个并联的MOSFET。其栅极驱动电压从5V 至8V 是可调的，从而允许设计师选择标准门限或逻辑电平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的宽输入
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Linear MOSFET 栅极驱动器
- Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驱动器上，Microchip推出全新下桥臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驱动器。经扩展后，这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A至4.5A，工作电压范围宽达4.5V至18V。全新器件具备使能输入引脚，可实现关断功能以节省能耗，并采用8引脚SOIC和8引脚6mm×5m
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Microchip MOSFET
- 为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装，Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。
Dual Cool封装具有外露的散热块，能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比，Dual Cool封装在配合散热片使用时，可将功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆
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Fairchild MOSFET Dual Cool
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最
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Vishay MOSFET
- saber下MOSFET驱动仿真实例,设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteris
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实例 仿真 驱动 MOSFET saber
- 宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60VN沟道Trench FET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
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MOSFET 最低导通电阻
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