- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。
独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
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英飞凌 肖特基二极管 SiC
- 电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 120 电压
- 电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器
- 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米)，高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。
全新封装采用表面贴装方式，在8x8毫米的无管脚封装内，贴装业界标准TO-220晶粒，并具备金属裸焊盘，便于内部高效散热。其低矮外形便于设计者设计出更薄的电源外壳，满足当今市场对时
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英飞凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率开关的MOSFET
随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代，平面栅极功率MOSFET
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考量 设计 MOSFET 功率 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 引言
通信电路板常常采用负载点(PoL)DC-DC转换器来为数字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供电。一般而言，一个48V的背板采用中间总线架构(IBA)作为电路板的输入电源，为不同负载点(PoL)供电，而中间电压通常选为12V(见图1)。这种传统方案包含一个分立式PoL，该PoL是以分立的方式使用控制器、驱动器和MOSFET。由于该方案需要额外的设计和制造时间，故半导体供应商目前开始转而采用完全集成的调节器解决方案，以期缩短上市时间，减小PCB空间，并使终端应用达到更高的效率水平。本
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Fairchild 电源设计 MOSFET
- 据国外媒体报道，欧洲第二大芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies AG)近日公布的财报显示，结束于3月份的本财年第二财季净利润为7900万欧元(约合1.042亿美元)，去年同期亏损2.39亿欧元;第二财季营收为 10亿欧元，同比增长55%。
第二财季净利润好于分析师预期，营收与分析师预期相当。据彭博社调查的分析师此前曾预计，该公司第二季度经调整净利润7130万欧元。第二财季为英飞凌连续第三季度实现盈利，而在那之前10个季度该公司累计亏损额高达39亿欧元。
英飞凌上调了
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英飞凌 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。
英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功
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英飞凌 MOSFET 飞兆半导体
- Maxim推出内置28V MOSFET的双向过流保护器MAX14544/MAX14545，有效避免主机因过载故障和/或输出过压而损坏。器件本身的集成功能，结合开关断开状态下输出端较高的耐压能力，使其成为外设供电端口保护的理想选择。目标应用包括：蜂窝电话、MID (移动互联网设备)、电子书及其它外挂配件的便携设备。
MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工厂预置门限之间选择，反向限流值设置为150mA。器件采用2mm x 2mm、8引脚TDFN无铅封装，工作在-
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Maxim MOSFET 过流保护器
- 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日成为首个发布以LFPAK为封装(一种紧凑型热增强无损耗的封装)全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化，其面积比DPAK封装减小了46%而具有与DPAK封装近似的热性能。
随着对电子应用不断增长的消费需求，汽车
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NXP MOSFET LFPAK
- 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半
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英飞凌 MOSFET DC-DC
- 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半
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Fairchild MOSFET
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