2013 年 12 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的,具有长使用寿命和高纹波电流,在100Hz下的纹波电流达2.80A,工作温度为+105℃,最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 电容器 159 PUL-SI
Silicon Labs数字隔离器(光电耦合器替代品)与标准光电耦合器之间关于共模瞬变抑制(CMTI)鲁棒性的详细对比。该视频中展示了如何使用被认可的经过校准的商业CMTI测试仪测量Si87xx数字隔离器的瞬变抑制特性,因此你能确
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CMTI Si 87 xx
PROFIBUS—DP应用于对分散冷凝水的回收,通过对冷凝水泵电机的变频控制,不但组网容易,而且控制精度和控制决策更加简洁。组网时必须借助于通讯接口卡SI—Pl,通过配置相应的软件,使普通变频器成为带有现场总线接口的变频器。按照锅炉补水箱极限水位,动态调节各分散处冷凝水的回收流量,使锅炉补水箱在储存冷凝水过程中不至于断流和溢出。
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PROFIBUS&mdash DP总线 冷凝水回收 SI&mdash Pl 变频器
显示器是电脑中的基本输出设备,是人与电脑对话的窗口。它在电脑配置中是一个耐用器件,许多电脑的升级都是在保...
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显示器元器件 NPN LCD
摘要:针对现有遥控电器开关的节电性不好、使用寿命短等缺点,文中采用低功耗芯片Si1000,设计了一种新的可编程无线遥控多路开关,以实现对多路照明灯的遥控控制。详细阐述了整个电路的软硬件设计,并对其进行了实验
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Si 多路 无线遥控开关
1引言众所周知,利用太阳能有许多优点,光伏发电将为人类提供主要的能源,但目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本应该是我们追求的最大目标,从目
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结构 制备 实现 电池 太阳 结集 成型 Si:H 大面积
引言近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动
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研究 制备 薄膜 p-Si 低温
附图是一款输出电压为+40V~+80V的直流串联稳压电路。由于输出电压最高可调整至+80V,而集成运算放大器的电源电...
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串联稳压 运算放大器 NPN
PMM8731是日本三洋电机公司生产的步进电机脉冲分配器。而SI-7300则是日本三青公司生产的高性能步进电机集成功率放大器。它们和单片机一起可构成一种高效电机控制驱动电路。文中介绍了PMM8713与SI-7300的功能,给出了
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驱动 电路 电机 步进 PMM8731 SI-7300 基于
力科公司,作为示波器、协议分析仪、串行数据测试解决方案和网络分析仪领导厂商,今天宣布推出其信号完整性产品线的创新产品:信号完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ应用软件包的附加产品,它不但可以和SPARQ串行网络分析仪协同工作,还可以作为一个独立的软件使用。
可完成信号完整性分析、建模和仿真的功能
SI Studio针对信号完整性工程师而开发,可让工程师使用一个软件包就能完成对
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力科 软件包 SI-Studio
摘要:文中在应用对数域电路的基础上,提出了一种新型的连续小波变换方法,它通过对母小波的一种数值逼近得到小波函数的有理公式,并以Marr小波为例来模拟这个逼近过程,并用Matlab对逼近过程进行仿真。仿真结果显示
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变换 实现 小波 滤波器 SI 基于
摘要:大面积单结集成型a-Si:H太阳电池的结构设计技术,并分析了制备工艺对其性能的影响。关键词:太阳电池设计分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a- Si:H
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结构设计 制备 分析 电池 太阳 结集 成型 Si:H 大面积
引言 近年来,光伏产业发展迅猛,提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中,出现了许多严重的问题,如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等,正是这些缺陷限制了电池的光电
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电池 缺陷 应用 太阳 Si 技术 检测 晶体 发光
Automated DDR3 Analysis Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
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Quamtum-SI DDR3 仿真
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