IC Insights日前发布报告指出,由于COVID-19造成的隔离和短缺因素,使得2021年全球光电组件产品、传感器和致动器,以及离散组件 (O-S-D)的销售额,均出现创纪录的成长。但CMOS影像传感器却因美中对抗和某些系统因素,没有相对应的结果。 根据IC Insights一月半导体产业报告,2021年OSD总收入首次突破1000亿美元,与2020年的883亿美元相比,增加18%至1042亿美元,当时三个市场的总销售额成长不到3 %。报告显示,OSD总销售额占2021年全球6139亿美元半导体市场
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IC Insights 传感器 致动器 离散组件
12月10日,第五届“芯动北京”中关村IC产业论坛、“华为杯”第四届中国研究生创“芯”大赛决赛开幕式以线上云会议的方式召开。今年是“十四五”规划开局之年,本次会议在北京市委书记蔡奇提出的“举全市之力做大做强集成电路产业”指示精神的背景下,高度聚焦集成电路产业发展,邀请了来自国内外“政产学研用”领域嘉宾齐聚一堂,围绕创“芯”机、育“芯”才等主题进行深入交流,探讨当前形势下我国集成电路产业如何应对挑战,共绘集成电路产业发展新蓝图。 北京市委常委、副市长殷勇,中国半导体行业协会设计分会理事长魏少军,创“芯”大赛
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IC PARK 芯动北京
经晶圆厂认证的全生命周期可靠性签核有助于预防汽车、医疗和5G芯片设计中的过度设计和昂贵的后期ECO(工程变更指令) 要点: 经过验证的技术统一工作流程在整个产品生命周期内提供符合ISO 26262等标准的高性能可靠性分析 与PrimeSim™ Continuum解决方案整合可无缝使用业界领先的仿真器进行电迁移/IR压降分析、MOS老化、高西格玛Monte Carlo、模拟故障和其他可靠性分析 与PrimeWave™设计环境整合
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可靠性分析 IC
原标题:多家IC设计厂商证实:收到台积电涨价通知 强调不影响合作关系 8月25日,市场几度传出台积电即将全线涨价,从最初的明年成熟制程上涨15%至20%、先进制程涨幅达10%,到全面涨价20%,并从即日起生效。 对此,据中央社报道,多家IC设计厂商证实收到台积电涨价通知,并表示不会因而影响与台积电的合作关系。 IC设计业者指出,台积电包含7纳米及5纳米的先进制程涨价约7%至9%,其余成熟制程代工价格涨幅约20%。 此外,台积电罕见未给客户缓冲期,今天通知涨价随即于今天生效,供应链也紧急寻求因应
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IC 台积电 涨价
财联社6月24日讯,据媒体报道,IC设计业者透露,明年初晶圆代工价格已经敲定,不仅联电8英寸和12英寸的晶圆代工价格续涨,晶圆代工龙头台积电也涨价,部分8英寸和12英寸制程价格上涨一到两成,且12英寸制程涨幅高于8英寸。台积电发言窗口表示,不评论价格问题。
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IC 晶圆厂 台积电
空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行,防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响,因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds(on)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)获得了商业航天和国防空间应用认证。Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件,包括负载点转换器、DC-DC转换器、电
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MOSFET LET IC MCU
据WSTS统计,21Q1全球半导体市场销售值1,231亿美元,较上季(20Q4)成长3.6%,较2020年同期(20Q1)成长17.8%;销售量达2,748亿颗,较上季成长4.9%,较去年同期成长22.7%;ASP为0.448美元,较上季衰退1.2%,较去年同期(20Q1)衰退4.0%。区域市场方面,中国大陆市场销售值成长幅度最高,较上季(20Q4)成长8.9%,达到434亿美元,较去年同期(20Q1)成长25.6%;欧洲市场次之,较上季(20Q4)成长8.8%,达到110亿美元,较去年同期成长8.7%;
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IC
Micro-LED由于优异的显示特性已经成为目前技术的热点。由于其为芯片直显技术,芯片的光学性能决定了显示屏幕大部分的光学性能。Micro-LED灯板的封胶材料厚度对光学影响大,450 μm胶厚时比裸晶灯板色温降低了2 800 K。因Micro-LED显示为LED芯片直显发光,红光芯片本身发光角度比蓝绿光芯片小,再加上芯片表面封胶后经过一系列的折反射,红光折射率比蓝绿光小,蓝绿光出光视角进一步放大,导致色温偏差。
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Micro-LED显示 色温 光形图 202009 PWM
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室,围绕中国半导体产业链,培养工程专业人才,搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台,建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制,致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然,在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN 202103
近年来,谐振变换器的热度越来越高,被广泛用于计算机服务器、电信设备、灯具和消费电子等各种应用场景。谐振变换器可以很容易地实现高能效,其固有的较宽的软开关范围很容易实现高频开关,这是一个关键的吸引人的特性。本文着重介绍一个以半桥LCC谐振变换数字控制和同步整流为特性的300W电源。图1所示的STEVAL-LLL009V1是一个数控300W电源。原边组件包括PFC级和DC-DC功率级(半桥LCC谐振变换器),副边组件包括同步整流电路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器对DC-DC功率级
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MOSFET IC
西门子数字化工业软件宣布与日月光(ASE)合作推出新的设计验证解决方案,旨在帮助双方共同客户更便捷地建立和评估多样复杂的集成电路(IC)封装技术与高密度连接的设计,且能在执行物理设计之前和设计期间使用更具兼容性与稳定性的物理设计验证环境。新的高密度先进封装(HDAP)支持解决方案源于日月光参与的西门子半导体封装联盟 (Siemens OSAT Alliance),该联盟旨在推动下一代IC设计更快地采用新的高密度先进封装技术,包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圆级封装(FOWLP)。日月光是半导体封装和测
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IC ASE
可再生能源仍然是世界范围内的大趋势。随着捕获风能、太阳能和其他形式的可再生能源的方法不断发展,可再生能源系统的成本和效率对公司和消费者都越来越有吸引力。实际上,2016年,全球对可再生能源的资本投资跌到了多年来最低水平,但是却创下了一年内可再生能源设备安装数量最多的记录。在用于可再生能源系统的组件中,逆变器是一项尤其关键的系统组件。由于大多数可再生能源都是通过直流电(DC)产生的,因此逆变器在将直流电(DC)转换为交流电(AC)以有效整合到现有电网中起着关键作用。在混合了不同可再生能源的混合动力系统和微电
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PWM AC DC MOSFET SPWM
引言在功率变换器应用中,宽带隙(WBG)技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中,提升效率极限一或两个百分点依然关系重大,变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势,在这种情况下采用基于氮化镓(GaN)晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率,并联配置晶体管已成为设计工程师可以考虑的选项之一。应用晶体管并联技术在最大限度提升变换器输出功率的同时,也带来了电路设计层面的挑战。并联晶体管的
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PWM
要点: 作为新思科技Fusion Platform的一部分,IC Compiler II凭借其行业领先的容量和吞吐量,加速实现了包含超过590亿个晶体管的超大规模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中针对AI硬件设计的创新优化技术提供了同类最佳的性能、功率和区域(PPA)指标集成式黄金签核技术带来可预测且收敛的融合设计,同时实现零裕度流程新思科技(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,其行业领先的IC Compiler™ II布局布线解决方案成
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新思科技 IC Compiler II Graphcore
日前, KLA公司 宣布推出Kronos™ 1190晶圆级封装检测系统、ICOS™ F160XP芯片分拣和检测系统以及下一代的ICOS™ T3 / T7系列封装集成电路(IC)组件检测及量测系统。这些新系统具有更高的灵敏度和产量,并包含下一代增强算法,旨在应对特征尺寸缩小、3D结构和异构集成所带来的复杂性,从而在封装阶段推进半导体元件制造。凭借更可靠地实施这些先进封装技术,KLA的客户将无需依赖缩小硅设计节点就能够提高产品性能。该产品组合的性能提升将提供良率和质量保证,帮助
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