日常生活中，大家会发现工业用电电费会高于居民用电电费。从技术角度来解答是因为工业用电传输成本高，由于工业应用中的用电设备多为大功率电感或容性负载，其功率因数相对居民用电设备的功率因数较低，从而导致无功功率较高，损耗大，因此供电成本相对较高。而居民用电普遍为中小功率设备，耗电小，功率因数高，无功功率损耗少。本文将介绍功率因数（PF）和总谐波失真 (THD) 的概念，并回顾如何利用功率因数校正 (PFC) 电路和 PFC 控制器来实现高功率因数并减少谐波失真。交流电的功率因数功率因素PF (λ) 是指有功功率
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MPS PFC
电脑发展至今已扩展至众多领域，电竞电脑及服务器运用因其高速、大容量和多重连线的特点，预期将为电竞电脑及服务器带来更多爆炸性的成长。相对电竞及服务器电源需求也有等比例的需求成长。 因应电竞电脑及服务器的应用普及，安森美提出高效能PFC多元操作模式IC NCP1655的设计方案，且NCP1655输入电压由90V至265VAC，无论在轻载/半载/全载情境下，皆能提高转换效率。加上快速的负载暂态补偿响应，以及高规格安规等级各式保护功能，特别是具有PFC-OK讯号供应后级电源时序控制，NCP1655应用达到高效率，
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Onsemi CrM DCM CCM PFC NCP1655 电竞 电源
行动通讯电脑发展至今已近40年，第五代行动通讯技术(简称5G)是最新一代行动通讯技术，5G的效能目标是高资料速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高系统容量和大规模装置连接。为因应5G基地台应用普及节省电源需求，安森美半导体提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1680设计方案，相较传统PFC之转换效率可以提升3%~4%，符合5G通讯诉求之节省能源，降低成本，提高系统容量之诉求，加上NCP1680快速的负载暂态补偿响应，以及高规格安规等级各式保护功能，特别是具有
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onsemi NCP1680 Totem Pole PFC 图腾柱
LCD TV 电视由 LCD 面板 、电源板、解码板构成。据统计，每年的液晶电视出货量为 2.15 亿台。随着 LCD TV 电视能效标准提升，集成化、超薄化， 对 TV 电源的要求也倾向于小体积和高能效 ,本方案描述的演示板是一个120w的SMPS，使用数字PFC-LLC组合控制器IDP2308，该产品是由德国半导体公司英飞凌科技研制的第二代16pin数字组合控制器。IDP2308是专门为电视电源中的开关模式电源设计的系统应用方案。►场景应用图►产品实体图►展示板照片►方案方块图►系统方框图►核心技术优
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infineon 2308 数字电源 数字多模式 PFC
数位电源 PFC 方案开发平台数位电源渐渐普及到服务器、通讯设备、汽机车充电桩、个人电脑等，由于现在的电源功率越来越大，产品的规格要求越来越高，传统类比电源由于硬体的限制，比较难达到这些需求，所以中高功率的电源供应器才会慢慢由传统的类比控制转变成数位方式来实现控制、管理、与监测功能。 此开发板实现 Single Phase PFC、Interleaved PFC、Bridgeless PFC 等架构，电源回路的主控制芯片采用 NXP DSC 系列新推出的 MC56F81768，最大功率
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数字电源 数位电源 服务器电源 PFC LLC NXP DSC MC56F81768
】LLC 变换器的设计涉及众多的设计决策与关键参数，而且很多因素相互关联。任何一个设计选择都可能影响系统中的许多其他参数。LLC 谐振腔的设计是其中最大的挑战，因为它决定了变换器响应负载、频率和电压变化的能力。因此，设计人员必须正确定义变换器负载和频率的工作范围，因为这些值会影响谐振腔的值与参数来。本系列的两篇文章将讨论 LLC变换器设计的关键考量因素。 第I部分 探讨了各种电源开关拓扑和 LLC 谐振腔的特性。本文为第II部分，将介绍 LLC 变换器设计中的重要参数，包括增益、负载、频率和电感。LLC变
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MPS LLC
在全世界都致力于实现碳中和的同时，电动汽车 (EV) 也在迅速抢占内燃机汽车的市场份额。 然而，电动汽车存在里程焦虑的问题，用户会担心在不充电的情况下EV能够驾驶多长时间。为了解决这个问题，世界各国的政府都在大力投资EV充电基础设施。 EV充电站类型 目前在用的EV充电站类型多样，从 1 级/2 级 (L1/L2) 充电站，到可提供高达 400kW 功率的直流快速充电 (DCFC) 站（见图 1）。 图1: 电动汽车充电站EV充电站具体描述如下：•L1/L2:这类充电站可提供
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MPS LLC 变压器
许多高效率电源在设计时可以使用有源钳位反激(ACF)变换器或LLC开关IC来实现其设计目标。在实际设计时，究竟应该选择哪一种呢？一些设计工程师会根据个人偏好、熟悉程度以及在某些特别应用当中过去常用的历史经验来做出相应的选择。然而，当面对两种或更多可能的解决方案时，最佳方案的选取则取决于合理的工程推理、设计要求以及产品效率、尺寸、BOM、功率密度、设计简易性的优先级别以及其它影响设计的一些因素。 Power Integrations (PI)面向电视机、显示器和大功率充电器应用提供全系列高度集成
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LLC 反激拓扑
随着半导体工艺的发展，计算速度的不断提升，时钟频率和供电电流需要相应加快和增大，供电电压则要求不断降低。因此低电压、大电流对电源转换效率提出了更高要求。此外，电子产品的小型化、薄型化、轻型化，电源产品的功率密度越来越成为衡量电源产品技术水平的关键指标，也促使高效率高功率密度成为客户选择电源产品的关键指标。在此趋势下，可在高频率工作的GaN越来越多的被采用。安森美半导体提出最新高效能Totem Pole(图腾柱) 结合全桥整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案，相较传统PFC之
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安森美 PFC 图腾柱 NCP1681 NCP58921
PREMO 延申了3DPower系列到最新的产品3DP-11KWHVHV -大功率集成磁性元件，其应用于汽车领域，包含插电式混合动力车、混合动力车、纯电动车或燃料电池汽车。这种颠覆性的专利解决方案旨在提高功率密度（减少体积），将 2 或 3 个组件整合为一个（节省磁芯），并将重量减轻 50%。这正是汽车行业一直追求的具有成本效益的解决方案。3DPower，一种整合了全桥 LLC 变压器和谐振电感的颠覆技术。 电感元件制造商领导者 PREMO 发布了最新 11kW 3DPowerTM 解决方案，将
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PREMO 3DPower 全桥 LLC 变压器 谐振电感 磁性元件 分立式工业解决方案
无桥式图腾柱功率因数校正（PFC） 级可用于满足严格的效率标准，但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的，而解决方案则是使用宽带隙碳化硅（SiC）器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
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碳化硅 图腾柱 PFC 体二极管 恢复 电荷 效率 损耗 输出电容
图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器，以增加负载的功率因数，从
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MOSFET PFC
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
住宅储能市场虽然现在处于起步阶段，但正位于爆炸式增长的边缘。自2018年第一季度以来，仅在美国，该市场就同比增长了232％，而能源存储在2019年第一季度的部署中占比为46％。如今，住宅储能领域的规模比公用事业部署的规模要小。预计全球住宅储能市场将从2019年的60亿美元增长到2024年的175亿美元；复合年增长率为22.88％（根据最新的 Wood Mackenzie美国能源存储监控器 。随着具有各类背景和专业知识的新参与者进入市场，全球公司开始看到储能的未来增长潜力。储能开发人员要
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PFC BOM PV
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