- 根据全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner的初步统计结果,2017年第四季度全球个人电脑(PC)出货量总计7160万台,较2016年第四季度下滑2%。2017全年PC出货量超过26,250万台,较2016年减少2.8%。尽管全球PC季度出货量已连续十三个季度下滑,年出货量也是连续第六年下滑,但Gartner分析师认为市场已出现部分回升迹象。 Gartner首席分析师北川美佳子(Mikako·Kitagawa)表示:“2017年第四季度亚太、日本与拉丁美洲的PC出货量均有增长,欧非中东(EME
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PC 惠普
- 2017年,整体内存产业不论DRAM或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法,DRAM热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND部分,恐怕就不会那么乐观了,由于大厂3D NAND良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不会太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供给吃紧,届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分,以大方向来说,2018年在Fab端并无新增产能,顶多就
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DRAM NAND
- 南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。
李培瑛表示,服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲,南亚科内部预估,今年DRAM位需求增幅约20%至25%,搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺,以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB, 以及冬季奥运来临,刺激电视与机顶盒等需求,带动利基型D
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南亚科 DRAM
- 武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处,一个被称为“黄金大道”的T字形结构的芯屏组合的产业聚集区已悄然形成。而这其中的“1号工程”正是在中国存储器产业已掀起“巨浪”的长江存储科技责任有限公司(以下简称“长江存储”)。
2018年1月17日,阴冷两天的武汉再度放晴,而长江存储的一期工厂已经竣工,已然组建的研发团队正在东湖高新区(以下简称“高新区”)的另一处办公地址加紧推进研发工作
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集成电路 DRAM
- 据外媒报道,PC市场目前已经经历了连续六年的下滑,2017年PC年出货量达到2.61亿台,相比2016年下降1.5%,唯一值得高兴的是,这个下降率相比去年已经低了不少了。
从市场调研机构IDC的数据,去年第四季度算是全球PC市场的一次短暂的回光返照,单机总出货量达到7060万台,相比2016年同期提升了0.7%,这是6年来PC出货量的首次提升。
整个2017年中,惠普在全年出货量排名中依然是第一,市场占有率为22.7%。联想排名第二,市场占有率为21.1%。第三
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惠普 PC
- 高通已经觊觎PC市场许久,与微软的合作也断断续续的进行了十几年,这次终于看到高通芯片从手机端到PC端的成功跨越。
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高通 PC
- RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
- 美国当地时间1月9日,2018 CES今日在拉斯维加斯开幕;联想集团总裁兼COO兰奇在与网易科技等媒体对话时表示,尽管PC的整体销量在下滑,但销售额却在增长,这意味着PC的平均单价在上涨。在谈及PC业务时,兰奇表示,去年开始销量确实在下滑,但是营业额却在上涨,也就是平均单价在持续增长;兰奇表示,从2018年来看,这个趋势仍将持续,甚至将持续到未来的三年时间内。兰奇认为,造成这个情况的原因主要有三个,其一是消费升级,消费者需要更好的外形设计、更大的空间;第二个原因在于PC业务已经成为了一个替换业务,很多
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联想 PC
- 研调机构IC Insights发布最新报告指出,DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰,预估达到211亿美元,较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示,据历史经验来看,DRAM产业在不久的将来,可能经历长期间的景气向下格局,因随着DRAM产能增加,今年价格将开始下滑,跌势更恐达2年之久。
回顾2017年,受惠于数据中心需求,带动服务器DRAM明显升温,同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长,2017年DRAM价格报价一路上扬
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DRAM
- 缺货涨价固然有产能不足的因素,但原厂联合渠道商炒货,是其中更为重要的潜在影响因素。
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DRAM 三星
- 抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值高
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三星 DRAM
- 抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值高
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DRAM DDR4
- DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
- 内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
- 5nm以下的工艺尺寸缩减逻辑;DRAM、3DNAND和新型存储器的未来;太多可能解决方案带来的高成本。
近日,外媒SE组织了一些专家讨论工艺尺寸如何继续下探、新材料和新工艺的引入带来哪些变化和影响,专家团成员有LamResearch的首席技术官RickGottscho、GlobalFoundries先进模块工程副总裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技术合伙人DavidShortt、ASML计算光刻产品副总裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
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