- 最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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嵌入式系统 单片机 IC 数据转换 NAND 模拟IC
- 据美国半导体行业协会(SIA)周一称，在PC和手机等消费电子产品需求的推动下，今年9月份全球微芯片销售收入增长了5.9%。
9月份全球微芯片销售收入从去年同期的213亿美元增长到了226亿美元。今年第三季度全球微芯片销售收入增长6%，从去年同期的640亿美元提高到了678亿美元。
SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，第三季度的全球销售比今年第二季度增长了13.2%反映了为圣诞节假日销售准备产品的传统模式已经开始。
消费电子产品的需求非常强劲。第三季度用于传统消费电子产品的
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消费电子 NAND 闪存 芯片 嵌入式
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人
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NAND NOR flash 集成电路 存储器
- 据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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模拟技术 电源技术 IC 数据转换 NAND 模拟IC
- 10月21日消息，据外电报道，市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量增长率从原来的8%提高到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长，如DRAM内存出货量增长49%，NAND闪存出货量增长38%，接口集成电路出货量增长60%，数据转换集成电路出货量增长58%，汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称，如果2007年全球集成电路出货量增长率达到10%或者更高，这将是连续第六年的两位增长
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模拟技术 电源技术 集成电路 NAND 闪存
- 现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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嵌入式系统 单片机 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微处理器
- 根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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- Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 东芝 嵌入式
- 摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
关键词：NAND Flash 数据存储 C8051F
引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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NAND Flash 数据存储 C8051F MCU和嵌入式微处理器
- 九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 嵌入式
- 据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
- 1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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嵌入式系统 单片机 FPGA NAND FLASH 嵌入式
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
- 致力于简化系统级存储验证和测试的业界组织 PISMO顾问委员会近日宣布，PISMO 2.0多媒体标准已通过审批。这一针对目前PISMO2.0规范的全新多媒体扩展版为芯片组和存储供应商增加了 MMC存储接口支持，从而满足手机和消费产品中存储丰富媒体内容的需求。PISMO™顾问委员会于2004年由Spansion和ARM创建，目前共有15家成员公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒体规范使设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种存
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PISMO NOR NAND 闪存
- 在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升。 业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响，NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格，力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也调高了eTT DRAM内存的报价。 在三星向外界透露
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