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nand-emmc 文章 进入nand-emmc技术社区

采用NAND和NOR门的SR触发器

  • 在本教程中，我们将讨论数字电子学中的基本电路之一--SR 触发器。我们将看到使用 NOR 和 NAND 门的 SR 触发器的基本电路、其工作原理、真值表、时钟 SR 触发器以及一个简单的实时应用。电路简介我们迄今为止看到的电路，即多路复用器、解复用器、编码器、解码器、奇偶校验发生器和校验器等，都被称为组合逻辑电路。在这类电路中，输出只取决于输入的当前状态，而不取决于输入或输出的过去状态。除了少量的传播延迟外，当输入发生变化时，组合逻辑电路的输出立即发生变化。还有一类电路，其输出不仅取决于当前的输入，还取决
  • 关键字： NAND  NOR门  SR触发器  

三星明年将升级NAND核心设备供应链

  • 据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
  • 关键字： 三星  NAND  闪存  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
  • 关键字： V-NAND  闪存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

  • 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据，会覆盖上次存储的数据，无法进行数据的连续存储。针对该问题，本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间，记录最新分区信息，将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图，并进行了验证。
  • 关键字： 202308  NAND Flash  FPGA  分区  起始地址  

因业务低迷，消息称三星计划暂停部分工厂 NAND 闪存生产

  • IT之家 8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
  • 关键字： 三星电子  V-NAND  

基于NAND门的行李安全警报

  • 在乘坐火车和公共汽车的旅途中，我们会携带许多重要的物品，而且总是担心有人会偷走我们的行李。因此，为了保护我们的行李，我们通常会用老办法，借助链条和锁来锁住行李。但锁了这么多把锁之后，我们还是会担心有人会割断锁链，拿走我们的贵重物品。为了克服这些恐惧，这里有一个基于 NAND 门的简易电路。在这个电路中，当有人试图提起你的行李时，它就会发出警报，这在你乘坐公共汽车或火车时非常有用，即使在夜间也是如此，因为它还能在继电器上产生声光指示。这种电路的另一个用途是，您可以在家中使用这种电路，以便在这种报警电路的帮助
  • 关键字： NAND  逻辑门  

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

  • 简单解释ROMROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器
  • 关键字： ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字： NAND  3D NAND  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3，存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字： DRAM  NAND  

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至，尽管今
  • 关键字： NAND Flash  Wafer  TrendForce  

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星？

  • 近日，据日本共同社消息，日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前，作为全球知名的存储器厂商，铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴，目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称，铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等，未来双方将进行经营合并，拟由铠侠掌握主导权，关于出资比率等将继续探讨。报道称，由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷，铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示，铠侠
  • 关键字： 铠侠  西数  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌，内存现货价格未见回暖

  • 业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不太乐观。
  • 关键字： NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持续下修，第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示，第一季NAND Flash买方采购动能保守，供应商持续透过降价求售，但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%，平均销售（ASP）单价季减15%，合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元，环比减少16.1%。SK集团（SK hynix & Solidigm）及西部数据（WDC）量价齐跌，冲击营收表现，环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响，第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元，环比减少24.8%
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

NAND闪存主控芯片供应商2023年第1季财报出炉

  • 据中国台湾《经济日报》报道，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技（SIMO）公布2023年第1季财报，营收1亿2407万美元，季减38%，年减49%，第1季毛利率42.3%，税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示，包括NAND大厂在内的主要客户，目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱，上下游供应链皆将重心放在去化库存，包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商，因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为，见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善，再加
  • 关键字： NAND  闪存  主控芯片  

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  
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