- 给出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的设计方法，文中集中研究了其中的软件部分，探讨了管理flash物理块的算法，提出了块级和页级两级地址映射机制以及映射信息在flash的存储定义，同时还提出了对flash的分区方法。
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设计 实现 算法 管理 Flash NAND
- 随着DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡季，而持续呈现衰退景况，公司因应策略是致力降低库存水位，将库存维持在约3~4周水平。
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DRAM NAND
- 随着DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡季，而持续呈现衰退景况，公司因应策略是致力降低库存水位，将库存维持在约3~4周水平。
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三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成员如：三星 (Samsung)、诺基亚(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州仪器(TI)、意法半导体(ST)等国际大厂，近期正在积极推动新的 NAND Flash 应用接口标准 UFS (universal Flash storage)的规格制定事宜。
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三星 NAND UFS
- 三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于2011年下半开始优先量产闪存。
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三星半导体 NAND
- 因应MCU成长快速及程序数据储存需要，MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势，MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌FlashIP制程技术，为下一代FlashMCU带来的技术变革。
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MCU Flash
- DRAMeXchange 最新发表的研究报告指出，固态硬盘(SSD)一直以来为各家 NAND Flash 厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于 NAND Flash 的使用量来说是一般内建式应用产品、U盘与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash消耗量来说有很大的帮助。
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固态硬盘 NAND
- 固态硬盘一直以来为各家NAND Flash厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于NAND Flash的使用量来说是一般内建式应用产品、随身碟与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘对于NAND Flash消耗量来说有很大的帮助。而从消费者的论点来看，固态硬盘的传输速度为传统硬盘的两倍以上，同时也兼具了省电与抗震动的特点，因此，DRAMeXchange认为，在未来高画质影音与大容量档案传输的需求将大幅提升之下，对于固态硬盘的需求若能在价格有效下降至可接受的范围将会开始提升。
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固态硬盘 NAND
- 美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案。此款采用美光 25nm NAND 技术的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量储存和可修改功能，是针对个人计算机、DVD 播放器和蓝光产品的综合解决方案。
美光的 25nm NAND 处理技术提供单一设备中8GB 储存容量，满足新应用
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美光 NAND
- 高调宣布走出破产保护阴影的Spansion公司日前公布了其2010财年第二季度财报，公司非GAAP调整后净收入已经从2009年同期的2240万美元上升至2740万美元;GAAP净收入为3.418亿美元，与2010 Q1财季相比，仍继续保持着稳定的财务态势。Spansion是否能够卷土重来?业界一直存在颇多争议之声。日前，该公司企业营销总监John Nation就公司发展策略、核心业务、技术趋势等话题接受了专访。
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Spansion NAND
- NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)制程竞赛拼得火热，在产出持续大幅增加下，10月上旬NAND Flash合约价再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高达5~7%，低容量芯片价格则是几乎持平，市场预期日前平板计算机和智能型手机 (Smart Phone)都内建高容量的NAND Flash存储器，在年底圣诞节最后一波促销热潮之下，有机会提升NAND Flash市场的需求，弥补2010年快闪记忆卡和随身碟都卖相不佳的缺憾。
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三星 NAND
- 就在启动32GB 20nm闪存生产线四个月后，三星确认目前已经启动64GB,3位元20纳米NAND闪存的批量生产。
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三星 NAND 20纳米
- 全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模块厂表示，NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让NAND Flash厂产生亏损，接下来要看大陆十一长假后是否出现补货需求，带动NAND Flash价格止跌。
模块厂表示，近期NAND Flash产品需求比DRAM模块好一些，DRAM买气受限于现货价跌幅较深，通路商补货意愿不高，但在NAND Flas
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NAND DRAM
- 日本最大的芯片制造商——东芝周一表示，尽管日圆走强，但该公司有望实现其在截至明年3月的会计年度，芯片业务营业利润达到12亿美元的预估，因新的电子设备热销，提高了芯片需求。
东芝芯片业务主管小林清志表示，因低质产品供应过多，最近NAND芯片现货价格下降，但这对东芝的影响极小。
NAND闪存芯片需求一直强劲，因受到智能手机和苹果的iPad等移动设备畅销所助。
“整体需求强劲成长情况一直符合我们对2010会计年度的预期，而且我们预计中国国庆节，黑色星期五
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东芝 芯片 NAND
- 基于FLASH的嵌入式存储系统设计,1 引言
FLASH（闪速存储器）作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其
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系统 设计 存储 嵌入式 FLASH 基于
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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