- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降，拖累了整体市场，如表1所示。
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三星 NAND
- 现在的照相手机几乎都可以当作数字相机使用，用户当然希望在低照度情况下也能拍摄出高质量的照片，因而照相手机...
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LED Flash
- Q.什么是三重播放集成?
A.TPI公司是一家致力于提供数字家庭视频平台解决方案的专业软件服务公司。TPI公司还是官方Adobe 的“Scaling Partner”，为消费电子平台提供Flash Player 10、AIR和舞台美术技术提供优化的端口。我们有25名具有专业的项目管理和质量保障经验的高级工程师团队,平均具有 24 年的工作经验.
Triple Play Integration 销售副总裁Mike Nottage
Q.
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TPI Adobe Flash
- 受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片 NAND
- AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7内核的32位MCU。用户代码编译在Thumb 模式下可获得16位指令宽度 ...
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AT91SAM7Sxx VID Flash
- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 基于TMS320DM642的Flash编程,本文首先介绍常见的Flash编程方法,然后详细介绍本文方法的原理,以及DSP系统上电加载原理,最后给出整个实现过程并分析了Flash编程时需要注意的一些问题。 Flash编程方法 常见的Flash编程方式 Flash在正常使用
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编程 Flash TMS320DM642 基于
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- C6000系列DSP Flash二次加载技术研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有强大的处理能力，在嵌入式系统中有着广泛的应用。由于程序在DSP内部存储器的运行速度远大于片外存储器的运行速度，通常需要将程序从外部加载到DSP内部运行。由于C6000系列DSP均没有
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技术 研究 加载 Flash 系列 DSP C6000
- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
nand flash 介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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