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新电源模块如何解决关键设计问题

  • 新型灵活应用的高密度电源模块现在能够以易于使用的集成封装提供先进的电热性能。系统性能的提升促进了对更高功率电源的要求,以及由于需要快速实现收入的压力迫使设计人员缩短开发周期,从而对全功能、快速实现电源解决方案的需要呈激增之势。电源模块可以解决这些问题,并提供系统设计人员所需的灵活性和性能,帮助他们从最小的空间获得最大的功率
  • 关键字: 新电源  FET  ISL8225  

移动电源方案技术深度剖析连载一:小米10400

  •   引言:  鉴于目前网络上移动电源方案知识甚少,而移动电源最核心的技术恰恰就在方案,从今开始特在移动电源网开设移动电源方案技术篇连载,对目前市面主流品牌,畅销产品等移动电源方案一一深度剖析,与移动电源设计师和技术迷们一起分享!我们首款产品就选目前最热门的小米10400mAh移动电源吧。  正文:  移动电源网独家撰稿,转载请保留出处链接。  大家好!我是来福,移动电源资深技术爱好者,鉴于目前网络上移动电源方案知识甚少,而移动电源最核心的技术恰恰就在方案,从今开始特在移动电源网开设移动电源方案技术篇连载,
  • 关键字: 小米  10400  BQ24195  ABOV  MOS  

Silego公司推出体积小一倍电流为4.5A的双通道全功能负载开关

  •   2014年3月17日Silego于美国加州圣克拉拉推出一款基于Silego亚微米铜制程电源FET技术的16 mΩ双通道GreenFET3 负载开关产品即SLG59M1527V。该款负载开关每条通道最高电流可达到 4.5A 、总电流高达9.0A。并且引用Silego CuFETTM 技术来实现低导通电阻、外形尺寸最小同时可靠性提高。  SLG59M1527V是一款以14 pin脚、尺寸为1.0 x 3.0 
  • 关键字: Silego  FET  SLG59M1527V  

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-2

  • 在上一个帖子当中我们见到了MOS管。下面我们来看一看用它完成的一个最简单的设计。
  • 关键字: MOS  CMOS  反相器  电路  NMOS  

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-1

  • 在下面的两个帖子当中,我将简短地介绍构成CPU的零件,一种晶体管。我将展示如何完成最简单的设计,这相当于IC设计中的Hello world,并且略微提到Hello world的几种变体。
  • 关键字: CPU  IC设计  单晶硅  MOS    

研究人员以硼/氮共掺杂实现石墨烯能隙

  •   韩国蔚山科技大学(UNIST)的研究人员们宣称开发出一种可大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米微板的方法,从而可实现基于石墨烯的场效电晶体(FET)制造与设计。   由Jong-BeomBaek主导的研究团队们采用一种BBr3/CCl4/N2的简单溶剂热反应,大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年经由实验发现后,已经开发出各种方法来制造基于石墨烯的FET,包括掺杂石墨烯打造成石墨烯状的奈米带,以及利用氮化硼作为支柱。在各种控制石墨烯
  • 关键字: 石墨烯  FET  

汽车启动/停止系统电源方案

  • 为了限制油耗,一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时,这些创新的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时,就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。
  • 关键字: MOSFET  二极管  PCB  稳压器  P-FET  

如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 反向转换器  FET  关断电压  缓冲  漏极电感  

经典FET输入甲类前级

  • 经典FET输入甲类前级本电路是参照《无线电与电视》杂志2000第一期的《电池供电高级纯A类分立件前级放大 ...
  • 关键字: FET  甲类前级  

车载笔记本电源的设计制作

  • 此电源有两种,输入电压不同分为12V和24V两种,输出电压均为19V。一、12V转19V电路电路如上图,此电路属升压型...
  • 关键字: 车载笔记本  MOS  IC器件  

eGaN FET与硅功率器件比拼之六:隔离型PoE-PSE转换器

  • 隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统,为网络设备供电,这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围...
  • 关键字: eGaN  FET  硅功率器  转换器  

正确的同步降压FET时序设计

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶...
  • 关键字: 同步降压  FET  时序设计  

SJ-MOS与VDMOS动态性能比较

  • 引言:为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约,半导体物理学界提出的一种新型MOS结构,称为...
  • 关键字: SJ-MOS  VDMOS  

电源设计小贴士46:正确地同步降压FET时序

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低...
  • 关键字: FET    MOSFET    电源设计小贴士    德州仪器  

电源设计:正确地同步降压 FET 时序

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低...
  • 关键字: 电源设计  同步降压  FET  时序  
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