- 存储器缺货状况将雪上加霜?已与台湾美光半导体合并的DRAM厂华亚科，近日传出厂房制程所需的氮气出状况，造成逾半晶圆报废，厂房目前仍处停工状态，接下来DRAM供货恐受影响。
根据取得的消息，华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况，气体污染造成约6万片晶圆报废，华亚科厂房为双子星结构，一厂可容纳两座12吋厂，两厂月产能可达12万片以上，此次逾半产能晶圆报废，影响不可谓小。
华亚科与美国DRAM大厂美光于去年12月初正式合并，华亚科于去年初即逐步转进20纳米，为美光体系中，最早开始转进20纳米的
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美光华 DRAM
- 针对近日市场上传出美光旗下桃园厂的相关传闻，美光于昨天发布声明郑重澄清，美光桃园厂并无发生氮气外泄事件，也并无撤离厂区人员，仅有些微厂务状况，且已经迅速恢复运作，美光相关业务并无受到任何实质影响。
美光桃园厂为美光全球DRAM生产据点之一。 美光表示，作为全球内存大厂，美光的生产据点遍布全球，已能及时应对各种厂务需求，并确保将单一据点之突发状况对营运的影响力减至最低，以维持整体良好运作。
不过，台媒报道，根据协助的设备商透露，美光的N2厂遭到污染事件，比想象还严重，到昨天为止还是全数停工状
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美光 DRAM
- 美光2017年第3季财报营收大幅优于预期，这要因DRAM、NAND Flash价格上涨，美光认为存储器产业需求稳定，价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示，国内相关个股中，华邦电目前DRAM产能约22K，估下半年 DRAM价格维持高档，2018年上半年在供给改善后将趋缓，因此维持族群中立建议。
永丰投顾表示，今年上半年存储器业务需求强劲，DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅，虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求，但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足
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美光 DRAM
- 中国半导体业要实现制造DRAM梦己经初现曙光，近期由台湾咨询时报报道的合肥“睿力”做19纳米DRAM引起业界的广泛兴趣。
一直低调行事的合肥“睿力”DRAM项目，由前应用材料公司资深副总裁David王宁国领军。
汇总消息，“睿力”做DRAM，采用19纳米制程工艺。该项目总占地面积约1582亩，一期总投资额约80亿美元，一期的两层厂房预计2017年三季度完工。目前已开始下设备的PO订单，计划今年10月设备开始安装，有望2
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DRAM 存储器
- 现阶段，由于我国发展半导体行业的时机与全球不同步，并釆用国家资金为主来推动，遭到了西方部分从业者的质疑。再加上近期投资越来越大更是进一步引起了美国、韩国、日本等先进国家的关注。
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半导体 DRAM
- 多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版，而不同版本之间的差价可达到几百元，这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。
半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，2016年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、
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美光 DRAM
- 随着应用不断扩大，及系统产品内建容量持续扩增，今年来半导体硅晶圆、磊晶与内存等多项产品市况热络，在供应持续吃紧下，各项产品下半年价格依然看涨。
南亚科总经理李培瑛说，第2季DRAM市场状况稳定，下半年需求将比上半年好，对第3季并不悲观。 联合报系数据照
需求增加，供应端产能却未同步增加，导致半导体硅晶圆、磊晶、动态随机存取内存(DRAM)、储存型闪存(NAND Flash)及编码型闪存(NOR Flash)今年来出现罕见同时供应吃紧的情况。
随着时序逐渐步入传统旺季，加上短时间新产能
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存储器 DRAM
- 多年来，个人计算机(PC)一直是半导体最主要的应用市场，但由于近年来PC市场出货量成长乏力，相关半导体市场的成长速度也跟着牛步化。 据IC Insights最新报告指出，PC应用将在2017年失去半导体最大应用出海口的宝座。 手机则可望正式超越PC，成为芯片产品最大的应用市场。
整体来说，受惠于DRAM与闪存价格居高不下，不管是PC或智能型手机的半导体市场规模，未来几年都将呈现成长格局。 但由于PC出货量连年缓步下滑，短期间内不见转机，因此手机市场虽然也遇到成长高原期，手机芯片销售额仍可望拉开与
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半导体 DRAM
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于内存供应吃紧态势尚未改变，今年第一季合约价上扬近四成，第二季合约价更进一步上扬约一成水位;放眼第三季，出货至一线厂的32GB服务器模组价格将来到260美元大关，二线厂更会高于此价格水位，使得整体第三季价格将会持续季增3%~8%的幅度。
DRAMeXchange分析师刘家豪指出，受到服务器内存的传输带宽支持从2133MHz与2400MHz更进一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年单机容量上的提升与
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服务器 DRAM
- 差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。
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DDR 差分时钟 DRAM DDR2
- 多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版，而不同版本之间的差价可达到几百元，这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。
半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，2016年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全
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美光 DRAM
- 量子计算机如今已经成为科技巨头们争夺的新高地，IBM、谷歌都涉猎其中。
现在，微软也要在量子计算领域发挥能量了。
半导体技术公司Rambus最新宣布已经与微软达成合作，双方将研发一种能够在零下180摄氏度环境下稳定运行的DRAM系统，为未来的量子计算机服务。
Rambus研究所副总裁GaryBronner介绍称，与微软的合作旨在零下180摄氏度环境下提升DRAM系统的容量和运算效率，并且降低功耗。
同时，高速串行/并行链路也能够在低温和超导环境中有效运行，从而确保整个存储系统在
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微软 DRAM
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于去年第四季严重供不应求，多数PC-OEM厂商选择提早在去年12月洽谈第一季的合约价以确保供货稳定，使得第一季合约价再度上涨超过三成，亦带动其他内存类别同步上扬，如服务器内存在第一季的价格上扬也相当可观，移动式内存价格也有近一成的涨幅。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察，原厂产能增加的效应最快在
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DRAM
- 据外媒报道，存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。
他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。
据巴隆周刊(Barron's)报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。
整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。
他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而
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DRAM Flash
- 全球硅晶圆缺货严重，已成为半导体厂营运成长瓶颈，后续恐将演变成国家级的战火，半导体业者透露，日本硅晶圆大厂Sumco决定出手下砍大陆NOR Flash厂武汉新芯的硅晶圆订单，优先供货给台积电、英特尔(Intel)、美光(Micron)等大厂，不仅加重NOR Flash短缺情况，日系供应商供货明显偏向台、美、日厂，恐让大陆半导体发展陷入硅晶圆不足困境。
硅晶圆已成为半导体产业的关键物资，过去10年来硅晶圆产能都是处于供过于求状态，如今硅晶圆却面临缺货，且已缺到影响半导体厂生产线运作，尤其是12吋规
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