- 1.前言 今天在全球范围内以应用智能信息、通信技术和物联网(IoT)重新定义制造业的工业革命正在逐渐形成，德国政府称之为:“工业4.0”。 “工业4.0”的基本原则是通过连接机器、工件和控制系统，在整个价值链上下游之间构建自动互控的智能网络。通过整合信息通信、传感器和机器人技术构建物联网，工业4.0概念可提高工业制造的智能化水平。 在传感器技术领域，IO-Link是全球首个传感器和致动器标准化输入输出通信技术(IEC 61131-9)，因此，我们认为该标准可能被选为工业4.0标准通信接口。 这
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IO-Link SIO 工业4.0
- 1.前言 今天在全球范围内以应用智能信息、通信技术和物联网(IoT)重新定义制造业的工业革命正在逐渐形成，德国政府称之为:“工业4.0”。 “工业4.0”的基本原则是通过连接机器、工件和控制系统，在整个价值链上下游之间构建自动互控的智能网络。通过整合信息通信、传感器和机器人技术构建物联网，工业4.0概念可提高工业制造的智能化水平。 在传感器技术领域，IO-Link是全球首个传感器和致动器标准化输入输出通信技术(IEC 61131-9)，因此，我们认为该标准可能被选为工业4.0标准通信接口。 这
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IO-Link，SIO
- 结构如图所示。控制系统采用三菱公司的FX2N系列的PLC对设各进行逻辑控制，实现控制部分的高速采样数据处理。它通过FX2N-16CCL和变频器进行数据交换。为
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CC－Link 现场总线 纺丝机 变频调速
- 随着人们对工业互联网的热情越来越大，工程师们正在寻找工业网络和通信协议，如IO-Link，以帮助从工厂车间解锁传感器数据。本文内容主要关于什么是工业
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IO-Link 工业互联网
- DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章节中，介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中，将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。
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DRAM Memory Cells
- 大型校园网是指规模很大、建筑众多，甚至有多个校区的校园网，网络覆盖范围通常可达数公里，有时还会超过十公里（存在分校时），可能同时采用多模、单模及远距离千兆光纤设备进行传输。信息点在500个以上的大型重点中学和大学的校园网建设均具有以下需求特点：设有众多的多媒体网络教室，大型的图书馆楼、多个实验楼、教学楼和办公楼，而且学生和教工宿舍也要实现网络覆盖。出于对整个网络的运营管理角度考虑，大型校园网通常采用将三层交换功能的骨干交换机和具有安全功能的宽带接入交换机配套使用，并辅之以网络管理软件对整个网络进行监控和维
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智能管理 D-link 校园网
- 无线宽带网络打造移动生活新概念—D-Link无线ADSL小型网络解决方案之一
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网关 网络 D-link
- 介绍一种人机交互系统的可靠性设计方案。该系统基于Memory-link通信协议，采用了目前流行的基于ARM7架构的S3C44BOX作为主控芯片，通过RS-422实现人机交互通信。结合抗干扰的硬件设计和稳定有效运行的软件设计方案，实现了在强干扰下稳定可靠的通信。实验结果表明，本系统抗干扰能力强、运行稳定可靠，在自主开发控制系统的人机交互通信部分具有一定的参考价值。
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Proface通信系统 人机交互 Memory-link协议
- 人机交互是一门研究系统与用户之间的交互关系的学问。系统可以是各种各样的机器，也可以是计算机化的系统和软件。人机交互界面通常是指用户可见的部分。用户通过人机交互界面与系统交流，并进行操作。小如收音机的播放按键，大至飞机上的仪表板、或是发电厂的控制室。本文将为您介绍几种人机交互系统及人机交互界面的设计方案。
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人机交互 LCD 嵌入式 WEB浏览器 Memory-link协议
- 平板显示器链路 III(也称为 FPD-Link III)是一种可用于众多汽车应用的接口，能进行点对点视频传输。该接口可通过低成本线缆(双绞线或同轴线缆)支持高清数字视频传输和双向控制通道。FPD-Link III 串行解串器经过精
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FPD-Link 通信电子
- 0 引言 无心磨床是用来加工圆柱滚子的一种机床，主要由砂轮、导轮、工作台、修整器等组成，加工时采用贯穿式磨削方法，即圆柱滚子在导轮的带
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CC-LINK 现场总线 变频调速系统
- 隧道掘进设备是一种存在振动的移动设备，它工作时会产生高温、高湿、高尘、高电磁干扰，几乎所有对自动控制系统不利的工作条件在隧道掘进设备
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CC-Link 总线光纤 转换器 隧道掘进
- CC-Link通信原理简介CC-Link的底层通讯协议遵循RS485。一般情况下，CC-Link主要采用广播-轮询的方式进行通讯。具体的方式是：主站将刷新数据(RY/RWw)发送到
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三菱 PLC CC－Link
- Memory产业格局巨变。紫光股份(103.50, 5.50, 5.61%)间接注入闪迪和同方国芯(59.33, 0.79, 1.35%)800亿元定增募投Memory产业。两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能，未来再有望进入DRAM领域，国内Memory产业格局发生巨变。 中国切入Memory优势有三。优势一，进口替代空间大，成长性好。2014年国内Memory规模520亿美元，自给率几乎为0。同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率
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集成电路 Memory
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