这篇文章简要地探讨了手机音频系统中ESD及EMI的起因及结果。接着研讨了ESD干扰抑制器和EMI滤波器的使用，以避免这些威胁。最后，比较了当前三种解决方案。
现代材料和技术引起静电放电(ESD)和电磁干扰(EMI)，并成为经常存在的危险。我们的穿着和我们接触的物品会引起静电放电。数字技术已有电磁干扰。静电放电会破坏手机里的电子部件。手机容易替换，但对用户的伤害很大。手机电路设计者必须确保采取必要的措施，以消除ESD的破坏。
在音频电路中如有电磁干扰(EMI)，会出现嘶嘶、噼
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手机 ESD EMI 音频
在高速数据率下，低电容 ESD 保护对于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 协议的数据完整性是很关键的。
全世界有数百万的家庭都已经在通过卫星电视、有线电视以及陆地广播享用互动式电视 (ITV)服务 。借助于计算机技术，ATSC ACAP协议正在通过数据广播 (PC 下载) 以及实时互动应用服务成为富有生命力的广播服务。
随着这些行业的汇聚联合，制造商必须对设备需求作出响应，以便容纳更高的数据率以及符合当前和拟议中的通信需求。另外，保护昂贵
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便携式 ESD 端口 IEEE
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列 --- VBUS054CV-HS3，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
VBUS054CV-HS3 采用占位面积为 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的无铅 LLP75 封装，可将众多便携式电子设备中的有源 ESD 保护所需的板面空间缩减至最小，这些系统包括便携式与手持式计算、通
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Vishay ESD 保护阵列 电容
引言
低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件，有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数，因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性能的好坏。低噪声放大器的设计主要包括输入、输出匹配网络和直流偏置网络的设计以及改善晶体管稳定的措施。
本文首先介绍放大器提高稳定性的源极串联负反馈原理，然后设计了一个L波段的低噪声放大器实例，并给出了放火器输入、输出回波损耗、增益、噪声系数等参数的仿真结果。
低噪声放大器的设计
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放大器 低噪声 LNA 晶体管
Maxim推出具有±15kV ESD保护的单/双通道双向电平转换器MAX13046E/MAX13047E。器件为多电压系统中的数据传输提供电平转换，VL电压范围为1.1V至3.6V或(VCC + 0.3V) (两者中电压较低的一个)，VCC电压范围为1.65V至5.5V。在整个电压范围内，MAX13046E/MAX13047E能够保证8Mbps的数据速率；在特定的电压范围内，还可达到更高的数据速率。器件在?DFN、TDFN和UTQFN等微型封装中集成了±15kV ESD保护
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Maxim 转换器 电平转换 ESD
德州仪器 (TI) 宣布推出一款高可靠静电放电 (ESD) 解决方案，可针对八个高速差动线路提供系统级 ESD 保护，以满足高清多媒体接口 (HDMI) 与 DisplayPort 连接器的需求。TPD8S009 的直通式、单列直插引脚映射可优化电路板布局，提高抗不良电磁干扰的能力。此外，这种独特的架构使设计人员无需重新设计系统即可便捷地添加或删除器件。这款 ESD 解决方案可提高笔记本电脑或台式机、电视或 DVD 播放器等设备的总体系统可靠性。
TPD8S009 具有不足 0.
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TI ESD 接口 HDMI DisplayPort
爱普科斯(EPCOS) 是第一个生产采用0201封装的低电容CeraDiodes®和多层压敏电阻(MLV)的ESD保护元件的厂家。例如，电容值为22 pF的压敏电阻具有低箝位电压的特性，特别适合对LED背景照明的保护。同时，公司还开发出用于USB和以太网系统，电容值为10 pF的新型电容。为了最大限度地降低寄生电容，特别是在无线射频技术的应用中，爱普科斯正在研制一种特殊的电容低于1 pF的天线压敏电阻。
为移动电话而特别设计的元件有微型化和集成化的趋势，而一体化的ESD
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爱普科斯 EPCOS ESD MLV
为了成本，集成度和性能等指标，采用高速串行数据接口，并且减小半导体制造布局是非常有必要的。但这种较小的器件更容易受到较低电压和电流所造成的静电损伤。另外，用于高速数据线上的低电容ESD保护器件在电容减小的同时，动态电阻会变大，这会使它们保护系统敏感IC元件的能力变差。
对于传统的ESD保护方案，强大的静电放电保护与良好的信号完整性是一对矛盾。有一些ASIC根本无法在保证信号完整性的同时，有效地进行ESD保护。
数据表说明书
系统设计者通常用器件数据表上标注的ESD等级来比较其ESD保
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ASIC IC元件 ESD CMD
宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 7 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型 VSA101 轴向 Bulk Metal® Z 箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C
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箔电阻 Vishay 电阻元件 ESD
东电化(上海)国际贸易有限公司 技术部经理 镰形利通
HDMI v1.3标准的数据传输速率达到3.4Gbps，这加增大选择EMI/ESD保护元件的难度。在EMI对策中，尽管大多数情况下可以有效使用共模滤波器(CMF)，但是如果选择了错误的CMF，则可能导致最坏的后果。因此，必须减小相对于信号的插入损耗。标准频率可以是插入损耗为3dB的频率，且至少应为6GHz以上。另外，关于抗干扰效果和相关的共模阻抗，为了在较宽的频带内有效，应当达到90Ω@100MHz以上。我们推荐采用TDK公司的ACM
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TDK HDMI 接口 ESD
2008年7月7日，德国Neubiberg与美国乔治亚州亚特兰大讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在2008年IEEE MTT-S国际微波研讨会上（IMS2008），宣布推出适用于便携式和移动电视应用的全新低噪放大器（LNA），这是业界最小的宽带LNA之一。
全新的BGA728L7是全球首款支持1.8V、2.8V和3.3V工作电压的移动电视LNA。它经过优化，广泛适用于各种频带，包括VHFIII、UHF和L频带。该移动电视 LNA具备两种模式（高增益模式
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英飞凌 宽带 低噪放大器 LNA 移动电视 便携式
世界最大的无源有源集成芯片供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出耳机和话筒接口芯片EMIF06-AUD01F2，在一个大小仅为2.42 x 1.92mm的倒装片封装内，新产品集成了完整的EMI（电磁干扰）滤波电路和ESD（静电放电）保护电路，以保护手机的立体声耳机输出端口和内外部话筒输入端口，提高多功能手机的音频性能。
通过在话筒线路上使用高密度的1.3nF锆钛酸铅（PZT）电容器，EMIF06-AUD01F2在800-2480MHz的阻带内的衰减度（S21）达到–25d
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ST 手机 音频滤波器 ESD 芯片
全球领先的电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。
ESD7L5.0D采用极小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封装，保护每条线路0.5皮法(pF)电容的两
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安森美半导体 RF ESD
本文结合窄带LNA与电阻并联反馈结构，利用0.18mm CMOS工艺设计了一种应用于UWB低频段的LNA，此LNA在噪声、功耗、硅片面积等方面都有较大优势。
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UWB LNA 应用于 系统
WiMAX(微波接入的全球互操作性)是BWA(宽带无线接入)的1种形式，它是基于无线MAN(城域网)的IEEE 802.16标准。它可用于不同的应用，这包括“最后1英里”宽带连接，热点和蜂窝回程以及商用的高速企业连接。
WiMAX的固定版本IEE802.16d提供到固定装置的NLOS(视距无线)传输，采用2~11GHz频率在大约4~6英里范围传输。此标准的移动版本802.16e是802.16d用在2~6GHz频段移动应用的扩展。这使得WiMAX技术可以构建在笔记本电脑或其
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Avago WiMAX LNA
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