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采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET

  • 引言人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中，我们首先讨论传统封装的一些局限性，然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后，展示对使用了图腾柱（Totem-Pole）拓扑的3.7kW单相PFC进行封装改进后获得的改善效果。功率元器件传统封装形式带来的开关性能限制TO-247N（图1）是应用最广泛的功率晶体管传统封装形式之一。如图1左侧所示，
  • 关键字： MOSFET  

Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
  • 关键字： MOSFET  

Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
  • 关键字： MOSFET  

GD32创新反电动势采样方案，助力高效控制BLDC电机

  • 0   引言电机（Electric machinery，俗称“马达”）是指依据电磁感应定律实现电能转换或传递的一种电磁装置，用来产生驱动转矩作为电器或各种机械的动力源。目前通常使用微控制器（MCU）对电机的启停及转速进行控制。本文介绍了基于兆易创新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一种创新型高精度反电动势电压采样方案，广泛应用于工业控制、智能制造、消费电子、家用电器、交通运输等领域实现高效电机控制。图1 有刷直流电机1   电机控制概况按照工作电源的不
  • 关键字： MOSFET  BLDC  

哪些应用和技术会成为2021的热点

  • 全球都在共同积极应对新冠肺炎病毒(COVID-19)这个充满挑战的新环境，疫情加速了许多本来就在进行的趋势，所有趋势都潜藏着一个一致的主题，那就是弹性。互联网的应用比以前有了更大的发展和进步。有很多人在网上订购生活必需品送货上门，以尽可能保持社交距离。人们的工作、社交、教育、娱乐几乎超出了预期，被迫学习和适应相关的工具。幸运的是，通信和信息网络的基础设施已做出了令人难以置信的反应，在增加的流量和负荷下保持了良好的状态。网络使用量的增长刺激了对这一关键基础设施的投资力度，5G基础设施加速部署，云计算数据中心
  • 关键字： MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。  在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
  • 关键字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  

简化汽车车身电机控制器设计，快速实现轻量化

  • 无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱，车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计（包括电磁干扰（EMI）和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护）带来了新的技术性挑战。德州仪器开发的集成电路（IC）电机驱动器产品集成了模拟功能，可帮助电子控制模块设计人员应对这些挑战，同时减小解决方案尺寸并缩短开发时间。本文中，我们将讨论可帮助应对这些设计挑战、集成到电机驱动集成电路中
  • 关键字： MOSFET  

照明的光明未来

  • 要有（电）灯！但谁负责点亮呢？有许多人声称自己是电灯的发明者，在19世纪中叶的许多发展为世界变得更亮一点铺平了道路。我们可能无法查明确切的“发现”！但我们知道的是，1879年，托马斯·爱迪生（Thomas Edison）申请了第一个商业上成功的带有碳化竹丝的电灯泡专利[[1]]。除了细丝材料的微小改进，包括20世纪初期从碳到钨的转变，我们从那时起直到最近基本上一直在使用爱迪生的古老技术。白炽灯泡迅速普及，提供了低成本和高质量的照明。但在过去的一二十年中，照明技术发生了根本性的变化，在大多数住宅和商业设施中
  • 关键字： MOSFET  

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线

  • 中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
  • 关键字： 三安集成  碳化硅  MOSFET  

占空比的上限

  • 开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长（关断时间(TOFF)加上导通时间）之比，定义了输入电压和输出电压之间的简单关系。更准确的计算可能还需要考虑其他因素，但在以下这些说明中，这些并不是决定性因素。开关稳压器的占空比由各自的开关稳压器拓扑决定。降压型（降压）转换器具有占空比D，D = 输出电压/输入电压，如图1所示。对于升压型（升压）转换器，占空比D = 1 –（输入电压/输出电压）。这些关系仅适用于连续导通模式(CCM)。在这个模式下，电感电流在时间段T
  • 关键字： CCM  TON  MOSFET  

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

  • 大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：■   较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作，从
  • 关键字： MOSFET  

应用笔记140 - 第3/3部分：开关电源组件的设计考虑因素

  • 开关频率优化一般来讲，开关频率越高，输出滤波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可减小电源的尺寸，降低其成本。带宽更高也可以改进负载瞬态响应。但是，开关频率更高也意味着与交流相关的功率损耗更高，这需要更大的电路板空间或散热器来限制热应力。目前，对于 ≥10A的输出电流应用，大多数降压型电源的工作频率范围为100kHz至1MHz ~ 2MHz。 对于<10A的负载电流，开关频率可高达几MHz。每个设计的最优频率都是通过仔细权衡尺寸、成本、效率和其他性能参数实现的。输出电感选择在同步降压转换器中，电感峰峰值
  • 关键字： MOSFET  DCE  ESR  MLCC  

宜普电源转换公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET产品,为业界树立全新性能基准

  • 增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广，包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器（硬开关和谐振式）和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的导
  • 关键字： MOSFET  QRR  QG  

应用笔记140 第2/3部分 - 开关模式电源基础知识

  • 为何使用开关模式电源？显然是高效率。在SMPS中，晶体管在开关模式而非线性模式下运行。这意味着，当晶体管导通并传导电流时，电源路径上的压降最小。当晶体管关断并阻止高电压时，电源路径中几乎没有电流。因此，半导体晶体管就像一个理想的开关。晶体管中的功率损耗可减至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是设计人员使用SMPS而不是线性稳压器或LDO的主要原因，特别是在高电流应用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT开关模式同步降压电源通常可实现90%以上的效率，而线性稳压器的效率不到27.5%。这意味着功率
  • 关键字： MOSFET    
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