基于Intel PXA270的WinCE操作系统移植,随着科学技术进步和3G时代的到来,高性能PDA产品作为一种电子消费品越来越受青睐。作为这些高性能的PDA产品核心的嵌入式实时操作系统是开发嵌入式应用的关键环节。向来以界面友好，易操作性，易开发性为卖点的Windows
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操作系统 移植 WinCE PXA270 Intel 基于 OS，移植，wince
据Intel公司一份产品路线图显示，除了我们先前报道的六核Core i7 980X，以及酷睿2四核Q9500两款处理器之外，还将于明年2月28日推出一款新的四核Nehalem处理器Core i7 930,这款处理器仍为LGA1366设计，主频2.8GHz，三级缓存容量为8MB，内置三通道DDR3内存控制器。
新款Core i7 930的售价将为284美元，TDP功耗为130W。
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Intel Core 处理器
Intel很快便要推出其新款处理器，代号Westmere的32nm制程处理器。这款处理器在内部架构方面与现有的Nehalem近似。不过在制程方面 Intel则迈出了一大步，进化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技术中，他们将使用其第二代HKMG(High-k金属门)技术。而相比之 下，其它的厂商的第一代HKMG技术都还没有付诸实用。那么，Intel在新一轮的32nm制程竞赛中的领先程度有多大呢?以下我们便为读者进行分析。
首先，我们把Intel和其最大的对手AMD，以及另一家代工企业台
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Intel 摩尔定律 处理器
Intel近日宣布在化合物半导体晶体管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通过集成高K栅极获得了更快的晶体管切换速度，消耗能量却更少。Intel一直在研究将现在普遍适用的晶体管硅通道替换成某种化合物半导体材料，比如砷化镓铟(InGaAs)。目前，此类晶体管使用的是没有栅极介质的肖特基栅极(Schottky gate)，栅极漏电现象非常严重。
Intel现在为这种所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)加入了一个高K栅极介质，并且已经在硅晶圆基片上制造了一个原型设备，证明新技术可以和现有硅制造工艺相结
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Intel 晶体管 芯片
来自国外科技网站macrumors.com的消息称，Intel将于明年1月初发布新一代主流移动平台，其中代号Arrandale的CPU首次将图形核心集成在处理器内，相当于把原有的CPU和集成显卡芯片组北桥合二为一。其中CPU核心为32nm工艺制造，而图形核心则为45nm工艺制造。预计全球各大厂商将从年初开始陆续推出使用Arrandale处理器的笔记本新品，但根据BSN网站的报道，偏偏有一家厂商并不买Intel的帐。
不出所料，这家特立独行的厂商就是苹果。据“接近此事核心的内部人士&r
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ARM今年的年度技术研讨会刚结束，可以见到相当拥跃的参加人潮。以一家资本额不算太大的IP公司，ARM的市场地位正不断高涨，近来已有与CPU一哥Intel分庭抗礼的气势。除了该公司本身在技术上的特色外
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ARM CPU Intel
根据最近一份泄漏的Intel产品发展路线图显示，Inte明年初l计划推出数款Core i3/i5/i7处理器新品。其中两款低功耗“S"版本的Core i5 750与Core i7 860处理器，频率分别为2.4GHz和2.53GHz(可利用TurboBoost技术提频至3.2/3.46GHz)。这两款新款S系列处理器TDP 功耗仅82W，比原有的95W降低不少，两款产品将配备8MB三级缓存，并将于明年第一季度上市。
另外，在Core i3产品档次，Intel还将推出新款
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Intel 处理器
安谋国际（ARM）日前在台举办年度的科技论坛，参与的人数与规模可以说是一年比一年还要盛况空前。由于ARM在智能型手机、Netbook与Smartbook的市场上渐渐与英特尔（Intel）短兵相接，两造所代表的商业模式与技术平台又大不相同，使得PC产业的发展呈现了新局面
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1999年，Intel给自己的64位顶级服务器处理器取了一个新名字：Itanium安腾，希望它能够击败IBM、Sun等竞争对手的产品，占据企业级高端服务器市场，甚至未来有一天可能推出基于这一全新架构的PC处理器。安腾架构的CISC指令集最初由惠普提出，后来由Intel和惠普共同开发。然而自发布后的近十年时间里，除了Intel和惠普外很少有其他公司推 出安腾服务器产品。由于其指令集和x86并不兼容，所有软件都需要重写，应用一直非常有限。另外，各代安腾处理器也一直被延期和Bug所困扰。种种问题都 导致In
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英特尔(Intel)中国执行董事戈峻在日前的四川跨国公司产业合作座谈会暨签约仪式上表示，将再次对英特尔成都厂进行增资，金额为 7,500万美元。此外，备受关注的上海浦东封测厂西迁成都一案亦进入关键时刻，估计1个月内即可完成整合作业，英特尔建构的三角战略架构亦将成形。
英特尔自2003年进军成都，已连续3次增资，对成都的总投资额由原先的3.75亿美元提高至6亿美元。
另外，此次英特尔将位于上海浦东外高桥保税区的封测厂西迁与成都厂整合后，将成为该公司在亚洲地区最大的封测厂，推测未来几年成都厂亦
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Intel 封测
按Intel的计划，LGA1156插槽处理器配套的旗舰芯片组P55将开始启用最新的B3步进版本(目前市售的P55芯片组为B2步进版本)。新的B3步进P55芯片组将在以下几个方面有所变化：
* 芯片组产品的S-spec代码以及产品MM代码方面将有所变更;
* 主板BIOS需要进行更新，并需要对处理器微代码部分进行更新，以便支持未来推出的处理器
* 建议B3版的用户将芯片组存储功能驱动由原来的MSM8.9版本升级到RST9.5版本。
B3步进P55芯片组将与现有的B2步进产品保
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Intel 芯片组 P55
据从Nvidia处得到的确切消息，Intel公司已确定不会在2011年之前将USB3.0功能加入其芯片组中。这样，那些需要在主板上加入USB3.0功能的厂商必须使用第三方芯片，USB3.0短期内恐无法普及。
Nvidia的发言人Brian Burke为此表达了对Intel的失望之情，并趁机鼓吹称Nvidia自家的芯片组一直在采用新技术方面做得比Intel好，同时他还不忘添油加醋鼓吹了一下自家的Ion平台。
Nvidia与Intel之间在芯片组授权方面存在严重的分歧和争端，不过也有人认为这种
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Intel USB3.0
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5纳米 DRAM NAND
固态硬盘产业虽然风生水起，但受限于各种因素，短期内还无法取代机械硬盘，而最新研究给出的结论是固态硬盘将永无出头之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔
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