- CCD（ChargeCoupledDevice）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOSImageSensor以下简称CIS）的主要...
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CMOS 图像传感器 CCD 图像传感器 CIS
- 威盛电子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，这是USB3.0技术时代业内首款支持更高传输速度的整合单芯片解决方案。
USB3.0(即超速USB)的最大数据传输速度可达5Gbps，是现有USB2.0设备传输速度的10倍;此外，该技术还能提高外部设备与主机控制器之间的互动功能，包括能耗管理上的重要改进。
VIA VL810由威盛集团全资子公司VIA Labs研发，它实现在一个USB接口上连接多个设备从而扩展了计算机的USB性能。一个输出接口及四个输入接口不仅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法,1. 引言
对于需要大的片上存储器的各种不同的应用，FPGA 需要提供可重构且可串联的存储器阵列。通过不同的配置选择，嵌入式存储器阵列可以被合并从而达到位宽或字深的扩展并且可以作为单端口，双端口
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RAM 重构 模块 设计 方法 FPGA 平台 0.13 微米 CMOS 工艺
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度的不断增加，超大规模集成电路(VLSI)的功耗、芯片内部的温度不断提高，温度保护电路已经成为了众多芯片设计中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工艺下，
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电路 保护 温度 CMOS 功能
- IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。
在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
该ETSOI技术包含了几项工艺创新，包括源漏掺杂外延淀积(无需离子注入)，以及提高的源漏架构。
该技术部分依赖于近期SOI晶圆供应商推出了硅膜厚度为6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工
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CMOS 高频 压控振荡器
- 东芝公司今天在美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上宣布，其20nm级CMOS工艺技术获得了重大突破，开启了使用体硅CMOS工艺制造下一代超大规模集成电路设备的大门，成为业界首个能够投入实际生产的20nm级CMOS工艺。东芝表示，他们通过对晶体管沟道的掺杂材料进行改善，实现了这次突破。
在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅(Bulk)CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料
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东芝 CMOS 20nm
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电源管理技术近几年已大量应用于便携式和手提电源中。电源管理系统包括线性稳压器、开关稳压器和控制逻辑等子系统。本文主要针对低压差线性稳压器进行研究。低压差线性稳压器是电源管理系统中的一个基
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稳压器 设计 线性 CMOS 集成 高性能
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运算放大器是数据采样电路中的关键部分，如流水线模数转换器等。在此类设计中，速度和精度是两个重要因素，而这两方面的因素都是由运放的各种性能来决定的。
本文设计的带共模反馈的两级高增益运
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CMOS 工艺 放大器 全差分
- 创新与变革是集成电路产业发展的主旋律。集成电路产业发展到今天，不断表现出新的趋势和特征：一方面继续专注于CMOS技术，沿着摩尔定律前进(moreMoore’s);另一方面，产品多功能化(morethanMoore’s)趋势日益明显。国际半导体技术路线图(ITRS)是被业界广泛认同的对未来15年内半导体研发需求的最佳预测。在国际金融危机冲击半导体产业、半导体技术变化更加迅速、产业竞争更加激烈的状况下，ITRS会对半导体产业的未来做出怎样的指导和预测?在日前举办的ICCHINA20
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摩尔定律 CMOS 半导体
- 赛普拉斯半导体公司日前宣布，其专为航天应用而开发的三款重量级CMOS图像传感器由欧洲航天局(EAS)的Proba-2卫星搭载于十一月二日成功发射升空。赛普拉斯的新型HAS2图像传感器专为高精度行星跟踪而设计，被意大利的SELEX Galileo公司设计的新型行星跟踪器所选用。HAS2图像传感器还被用于一个超紫外望远镜科学设备，以便观测日冕。此外，赛普拉斯的STAR-250图像传感器还被荷兰TNO公司用于其新型数字太阳传感器。HAS2 和 STAR-250器件均由位于比利时的赛普拉斯图像传感器事业部为E
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Cypress CMOS 图像传感器
- 提出一种基于电荷泵的CMOS图像传感器。使用一个基本的电荷泵电路提高重置脉冲信号的幅值至5．8 V，使像素单元中的充电节点电压在充电周期可以达到电源电压；同时调整像素单元中的源极跟随器的参数，降低充电节点电压在积分周期的摆动范围下界，充电节点电压的摆幅提高了53．8％，传感器的动态范围提高了3．74 dB。这种方案也减小了充电时间常数，使充电周期减小到10 ns，有效地提高了传感器的图像采集帧率。
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CMOS 电荷泵 图像传感器
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