- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 场效应管 集成电路 焊接
- 1.2 PMOS的变容管连接及其压控特性分析 图2为PMOS管连接成压控可变电容的示意图。具体是将漏、源和衬 ...
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CMOS PMOS
- 半导体行业网站Chipworks于近日对尼康新出品的微单相机V1做了非常详细而且彻底的拆解，在这次拆解过程中我们也发现了不少秘密，首当其冲的就是主CMOS上发现了Aptina的痕迹。Aptina是美国半导体企业镁光旗下的感光元件生产厂商，也推出过APS-C规格的16M像素CMOS。这也是首次明确发现尼康与Aptina合作，还是让我们先来看看图片吧！
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尼康 V1 CMOS
- 致力于开发可微缩低功耗CMOS技术的公司SuVolta今日在2011年IEDM会议上发布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗尽通道)的技术细节。SuVolta的DDC技术是该公司的PowerShrink低功耗CMOS平台的组成部分。该低功耗技术已向业界证明可以在不影响速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先进的电压降低手段，DDC技术甚至可以降低功耗达百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
- 摘要 分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管，利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1．2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路，以及性能指标
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模拟 法器 CMOS 2V 动态 NMOS 基于
- 利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzW ...
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共源 共栅 CMOS 功率放大器
- CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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传感器 图像 CCD CMOS
- 半导体行业从一开始就以“更小、更快、更便宜、更好”为宗旨。当前的掌上电脑(PocketPC)比占地整整一幢楼...
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CMOS TTL 电源供电
- 摘要：针对CMOS集成电路的故障检测，提出了一种简单的IDDQ静态电流测试方法，并对测试电路进行了设计。所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测，通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否存在物理缺
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电路设计 测试 IDDQ 电路 CMOS
- 电子技术的电控电路常采用CMOS逻辑控制系统，通过多年的维修实践，我们自行设计和安装了简易集成逻辑门电...
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CMOS 集成电路 测试仪
- 摘要：为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25mu;m N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性
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研究 电压 基准 CMOS 低温
- 电容式麦克风的中心议题： 电容式微麦克风原理电容式麦克风的解决方案： 电容式微麦克风原理
CMOS微机电麦克风电路设计
CMOS微机电麦克风工艺分类 纯MEMS与CMOS工艺的差异
随着智能手机
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CMOS 电容式 麦克风 详解
- 拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ，推出业界首款拥有突破性 ±50 ppm 频率精度和超低功耗的 CMOS 振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器，在任何要求 ±50 ppm 时间基准的广泛应用中，节省功耗高达 75%，包括计算、通信和消费市场。
IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振荡器确保 ±50
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IDT CMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V单电源或±2.7V～±8V双电源工作的新器件，充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点，可用于高速、高精度开关应用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
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