首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> hdr-cmos

hdr-cmos 文章 最新资讯

打破索尼垄断!晶合集成1.8亿像素相机全画幅CMOS成功试产:业内首颗

  • 8月19日消息,今日,晶合集成宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CMOS图像传感器(以下简称CIS),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。据了解,晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台,与思特威共同开发光刻拼接技术,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难,成功突破了在单个芯片尺寸上,所能覆盖一个常规光罩的极限。同时确保在纳米级的制造工艺中,拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。晶合集成表示,首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产,既标志着光刻拼接技术在
  • 关键字: CMOS  晶合  图像传感器  索尼  

业内首颗!国产 1.8 亿像素相机全画幅 CMOS 图像传感器成功试产

  • 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。▲ 产品图,图源晶合集成,下同据介绍,为满足 8K 高清化的产业要求,高性能 CIS 的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台,携手思特威共同开发光刻拼接技术,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难,成功突破了在单个芯片尺寸上,所能覆盖一个常规光罩的极限,同时确保在纳米级的制造工艺中,拼接后的芯片依
  • 关键字: CMOS  图像传感器  CIS  

格科微量产第二代单芯片3200万像素图像传感器GC32E2,搭载DAG升级HDR影像体验

  • 近日,格科微成功量产高性能的第二代单芯片3200万像素图像传感器——GC32E2。GC32E2搭配单帧高动态DAG HDR技术,预览、拍照、录像时,均能以更低功耗输出明暗细节丰富、无伪影的影像。GC32E2功能丰富,广泛适用智能手机、平板电脑等移动终端。格科微有限公司市场总监 Jeffery Yang:"32M超高清自拍,已成为中高端手机用户的重要换机需求。格科微第一代GC32E1已累计出货超过2000万颗。今年我们推出的升级产品GC32E2,将进一步从对焦、动态范围、AON功能来提升手机消费者
  • 关键字: 格科微  图像传感器  DAG  HDR  

使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管

  • 为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章,但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为,那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中,我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后,我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
  • 关键字: CMOS,MOSFET  晶体管,Spice模型  

CMOS反相器开关功耗的仿真

  • 当CMOS反相器切换逻辑状态时,由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗:动态,当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态,由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反,本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真,以帮助您更彻底地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时,由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器
  • 关键字: CMOS,反相器,功耗  仿真,LTspice  

CMOS反相器的功耗

  • 本文解释了CMOS反相器电路中的动态和静态功耗。为集成电路提供基本功能的CMOS反相器的发展是技术史上的一个转折点。这种逻辑电路突出了使CMOS特别适合高密度、高性能数字系统的电气特性。CMOS的一个优点是它的效率。CMOS逻辑只有在改变状态时才需要电流——简单地保持逻辑高或逻辑低电压的CMOS电路消耗的功率非常小。一般来说,低功耗是一个理想的功能,当你试图将尽可能多的晶体管功能封装在一个小空间中时,这尤其有益。正如计算机CPU爱好者提醒我们的那样,充分去除集成电路中的热量可能很困难。如果没有CMOS反相
  • 关键字: CMOS,反相器,功耗  

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码:TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品,适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用,其角度响应在30°角度下为四倍以上,在
  • 关键字: CMOS  图像传感器  Flash  

TTL与CMOS,很基础但很多人不知道

  • 问题引入在工作中,会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为:OD门是采用MOS管搭建的电路,压(电压)控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路,流(电流)控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门,为什么?电平TTL电平:输出电平:高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平:高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平:输出电平:高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平:高电平Uih >= 0.7*VCC U
  • 关键字: TTL电路  CMOS  

CMOS传感器+高级色彩算法,快准稳捕获色彩

  • 用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异,实现在线检测,大大提高了检测效率,同时对产品进行全检,检测结果更为客观、更准确。无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋,在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么,相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢?Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合,并具备:色彩校正矩阵,用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现;高质量图像,卓越的灵敏度和动态范围,能够较大限度提升图像对比度;灵活多变的自定义触发设置,准确触发
  • 关键字: 传感器  色彩  CMOS  

CMOS传感器+高级色彩算法,快准稳捕获一致色彩

  • 用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异,实现在线检测,大大提高了检测效率,同时对产品进行全检,检测结果更为客观、更准确。问:无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋,在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么,相机厂商该如何应对这些需求提出的挑战呢?答:Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合,并具备:• 色彩校正矩阵,用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现• 高质量图像,卓越的灵敏度和动态范围,能够较大限度提升图像对比度•
  • 关键字: CMOS  传感器  色彩算法  

CMOS 2.0 革命

  • 受到威胁的不是摩尔定律本身,而是它所代表的促进经济增长、科学进步和可持续创新的能力。
  • 关键字: CMOS  

台积电熊本新厂建筑工程上个月末已完成

  • 1月8日消息,据报道,日本熊本放送消息,台积电日本熊本新厂建筑工程在上个月末已完成,预定年内投产,目前处于设备移入进机阶段。另外,该厂开幕式预计在2月24日举行。公开资料显示,台积电日本子公司主要股东包括持股71%的台积电、持股近20%的索尼,以及持股约10%的日本电装(DENSO),熊本第一工厂计划生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体,初期多数产能为索尼代工 CMOS 图像传感器中采用的数字图像处理器(ISP),其余则为电装代工车用电子微控制器 MCU,电装可取得约每月1万片产能。台积
  • 关键字: 台积电  索尼  日本电装  CMOS  ISP  MCU  

CIS 产能诱惑再起

  • 移动互联时代,在电子半导体产业周期由谷底向上走阶段,有 3~4 类芯片会冲在前面,呈现出明显的增长势头,存储器是典型代表,还有一种芯片也很抢眼,那就是 CIS(CMOS 图像传感器),它在 2019~2020 年那一波产业高速增长过程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半导体业即将复苏,CIS 再一次冲在了前面。CIS 有三大应用领域:手机、安防和汽车。当然,CIS 在工业和其它消费类电子产品上也有应用。近日,全球 CIS 市场排名第二的三星电子发出通知,将大幅调升 2024 年第一季度 CIS 产品的
  • 关键字: CMOS  图像传感器  

英特尔展示 3D 堆叠 CMOS 晶体管技术:在 60nm 栅距下实现 CFET

  • IT之家 12 月 10 日消息,由于当下摩尔定律放缓,堆叠晶体管概念重获关注,IMEC (比利时微电子研究中心)于 2018 年提出了堆叠互补晶体管的微缩版 CFET 技术(IT之家注:即垂直堆叠互补场效应晶体管技术,业界认为 CFET 将取代全栅极 GAA 晶体管技术),英特尔和台积电也都进行了跟进。在今年的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM 2023)上,英特尔展示了多项技术突破,并强调了摩尔定律的延续和演变。首先,英特尔展示了其中 3D 堆叠 CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管方面取得的突
  • 关键字: 英特尔  CMOS  

下一代CMOS逻辑,迈入1nm时代

  • 3D 亚纳米时代,CMOS 逻辑电路如何发展?
  • 关键字: CMOS  
共997条 2/67 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

hdr-cmos介绍

您好,目前还没有人创建词条hdr-cmos!
欢迎您创建该词条,阐述对hdr-cmos的理解,并与今后在此搜索hdr-cmos的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473