恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射频研发的投资，2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事射频/微波集成电路(IC)设计，涉及领域包括国防航空、工业、科学和医学卫星接收器及宽带通信中等。其中，于年内第一季度成立的上海恩智浦高性能射频产品技术中心主要关注从射频前端到末级放大器的射频器件设计开发、技术支持、售后服务等一条龙全方位射频解决方案。目前上海公司市场部、技术部人才招聘正在进行。
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NXP RF
本文设计并实施了一款基于最新MEMS(微电子机械系统)技术的可以空中使用的鼠标产品，以满足当前计算机快速家电化、娱乐化的需求。本设计集成了先进的微电子机械系统技术(MEMS)、2.4G低功耗无线射频通信技术(2.4G/RF)、USB接口技术以及实时多任务操作系统uC/OS技术。本产品可以让鼠标脱离桌面环境，方便易用，让用户获得家电化的计算机操作体验，是一款真正“可以飞的鼠标”。同时，其所用的技术还可以渗透到其他传统的遥控器中，以大幅提升用户体验。
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时代民芯 MEMS 空中鼠标 2.4G RF
端到端网络流的介绍
NI端到端网络(P2P)流技术使用PCI Express接口在多个设备之间直接，点对点传输，而不必通过主处理器或存储器。这可使同一个系统中的设备共享信息而不必占用其它的系统资源。NI P2P技术被以下设备支持：PXI Express NI FlexRIO现场可编程门阵列(FPGA)模块(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R)，PXI Express数字化仪和矢量信号分析仪，包括NI PXIe-5122，PXIe-5622和 PXI
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NI RF 端到端
BLF888是500W LDMOS RF功率晶体管，用于广播发射和工业应用。在UHF频带470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W，峰值包络功率500W，功率增益19dB，漏极效率46%，VDS 电压50 V，漏极静态电流1.3A。本文主要介绍了BLF888
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广播 发射 方案 RF 500W BLF888 设计 基于
MAX19994A是双路RF下变换器,RF范围从1200MHz到2000MHz,LO范围从1450MHz 到 2050MHz,IF范围从50MHz到500MHz,典型的转换增益为8.4dB,典型的噪音为9.8dB,输入IP3典型值为+25dBm,输入1dB压缩点为+14dBm,单电源5.0V 或3.3
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变换 方案 RF 双路 MAX19994A 设计 基于
引言我们都很熟悉那些隐藏在车库、地下室或其它隐蔽之处的电表了。我们甚至可能每月会检查它一次或...
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AMR AMI ADI RF
引言被动门禁 (Passive Entry, PE)系统在汽车舒适度和安全性方面正在引领一个新的发展趋势。尽管这种技术几年前就已经问世了，但直到最近才开始快速流行，主要是因为系统集成度不断提高，使系统成本得以大幅度降低。
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考虑 事项 设计 RF 门禁系统 被动
ADI最新推出两款高性能射频无源混频器，适合各种无线应用，如蜂窝基站接收机、发送观测接收机和无线链路下变频器。针对这些应用的设计通常要求高线性度和低噪声，而现有混频器解决方案通常需要使用外部元件，如巴伦和匹配元件，从而增加了设计复杂性，使设计变得极具挑战性。ADI 公司新款单通道 ADL5353和双通道 ADL5354集成式无源混频器不仅可以简化设计，而且能提供同类最佳的性能，并通过扩展 ADI 混频器产品的频率覆盖范围完善了 ADI 公司宽泛的混频器产品组合。
单通道 ADL5353混频器和双
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ADI RF 射频混频器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持广泛开发商社群、可提供完整可扩展软硬件的 CC430F513x 微处理器 (MCU)，进一步推动了单芯片射频 (RF) 解决方案的发展。该 CC430F513x MCU 将业界领先的超低功耗 MSP430™ MCU 与 1GHz 以下的高性能 CC1101 RF 收发器进行了完美结合，并采用 7 毫米 x 7 毫米小型封装，不但可实现高达 20 MIPS 的性能，而且还可支持如集成型 AES 硬件模块等安全选项。此外，TI 还推出 CC430F61xx
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TI MCU RF
本文介绍的视频电路组合了音频副载波陷波器、群延迟均衡器和幅度调节电路，在NTSC应用中用于驱动RF视频调制器。
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调制器 RF 驱动 成本 利用
象过去多年来一样, 在今年的会上台积电也爆出让人感到惊奇的新工艺技术。它的新工艺路线图, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等领域。以下是在一天的会中对于会议的观察及感受;
1,Morris张去年79岁高令重新执掌台积电, 那时正值全球IC业混乱时代, 它又重新扬帆启航。但是在此次会上见到张时仍是如1990年首次见到它时那样精力充沛而健谈。更重要的是在公司经历40nm的风波后,它似乎为客户重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取积极的投资, 研发与招工策略, 张认为至今年底公司将从今日的2
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台积电 CMOS Analog MEMS RF
GSM手机的随处可见正导致不需要的RF信号的持续增加，如果电子电路没有足够的RF抑制能力，这些RF信号会导致电路产生的结果失真。为了确保电子电路可靠工作，对于电子电路RF抑制能力的测量已经成为产品设计必不可少的一
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RF 噪声 抑制 电路 测试 电波 暗室 利用
从3G升级到LTE-Advance，对下一代移动通信基础设施的设备和器件供应商提出了诸多挑战。下一代无线设备要求支持更宽的信号带宽、更复杂的调制方式，以便在全球范围内部署的各种运行频段上都能获得更高的数据速率。因此
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IC 集成 设计 策略 RF 发射机 下一代 LTE 基站 针对
全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint 半导体公司宣布，推出一系列新技术和产品，满足移动互联市场的需求。TriQuint利用创新的高性能射频 (RF) 系列解决方案致力于为用户难以满足的需求提供创新支持，通过上网设备实现各种即时通信。
TriQuint为移动设备制造商和宽带连接提供了创新的点对点通信解决方案，在方案中包括了满足3G/4G基站功率要求的高效解决方案TriPower™，以及用于3G WEDGE手机的最新解决方案TRITON和HADRON II
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TriQuint 晶圆代工 RF
“加快电子口岸建设，提高口岸工作效率”是提高政府行政执法效能的需要。根据业务需求并结合口岸实际环境，应用射频通讯技术研究开发了一种双频识别语音导引的智能车载卡，并在口岸3～10 km2范围内布设通讯基站，建
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系统 设计 实现 闸口 虚拟 RF 技术 口岸 基于 RF
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