- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
- System C特点及FPGA设计,一、概述
SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的，目前最新的版本为V2.0。它提出的目的就是以一种系统设计的思想进行系统设计。它将软件算法与硬件实现很好的结合在一起，提高了整个系统设计的效率和正确性。
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设计 FPGA 特点 System
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
- 基于模型的设计(MBD)因其在缩小实时系统抽象的数学建模和物理实现之间差距方面的光明前景而备受关注。通过使用相同的源代码进行算法分析、架构探讨、行为模拟和硬/软件设计，MBD有望缩短系统设计周期。 无需通
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Generator System 赛灵思 参数
- LED点阵显示屏是显示公共信息的一种重要显示终端，其中大屏幕LED点阵显示屏在许多场合得以应用。大屏幕显示所采用的技术比中小屏幕显示难度更大，因为其屏幕大、LED点数多，要求在极短的时间内刷新每个点，使得其扫
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Embedded System CPLD LED
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
- 目前，GPS系统已被广泛地应用到人们生活的各个领域。随着GPS定位理论研究的不断深入以及硬件的不断改进，GPS定位系统也日益完善。本文将从软件实验的角度分析GPS接收机高频通道的工作原理；在此基础上，设计一个增益分配方案，分析下变频电路的噪声特性，同时给出高频通道电路在System View平台上的系统仿真结果。
1 接收机的天线和传输损耗
GPS信号由于使用了码元速率fb1=1.023MHz的扩频码(C/A码)，调制后信号将占用2.046MHz带宽。L1波段(1575.42MHz)信
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GPS System View 系统仿真 接收机
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
- 研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
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硅晶圆 GaN 200mm MEMC
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
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移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
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