介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件，面向工业和汽车的新型功率模块，可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
关键字：
SiC GaN 电源管理 201804
相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
此外，除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，
关键字：
SiC GaN
日前，《麻省理工科技评论》刊文评出了2018年十大突破性技术，“对抗性神经网络”(GAN)赫然在列。
什么是对抗性神经网络?为什么它能入选MIT十大突破性技术?它的发展脉络如何?与我们此前耳熟能详的神经网络有什么区别?能够应用在人工智能的哪些场景?还有哪些关键问题有待攻克?
中国自动化学会混合智能专委会副主任、中国人工智能学会机器学习专委会常委、复旦大学博士生导师张军平教授在接受科技日报记者采访时做了深入浅出的解释。
故事中的GAN
关键字：
对抗性神经网络 GAN
什么是对抗性神经网络?为什么它能入选MIT十大突破性技术?它的发展脉络如何?与我们此前耳熟能详的神经网络有什么区别?能够应用在人工智能的哪些场景?还有哪些关键问题有待攻克?
关键字：
AI GAN
超密集组网通过增加基站部署密度，可实现频率复用效率的巨大提升，并且带来可观的容量增长，未来随着基站数量的增加，基站内射频器件的需求也将随之大幅提升。高通预测，射频前端的市场规模预估到2020年将达到180亿美元。Small Cell Forum预测，全球小基站市场空间有望在2020年超过60亿美元。
Qorvo亚太区FAE高级经理杨嘉
有业内分析师就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署将看到GaN逐步取代LDMOS，同时，GaAs也将从小型基站网络的需求增长中受益。Qorvo亚太区FA
关键字：
GaN 5G
慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
关键字：
SiC GaN
2018年3月6日，Nexperia(安世半导体)公司广东分立器件封装和测试新工厂正式投产，该工厂将重点解决产能问题，用于支持Nexperia后续业务发展规划。
【安世半导体(中国)有限公司广东后道工厂】
据Nexperia首席运营官Sean Hunkler介绍，新工厂投产之后，Nexperia全年总产量将超过1千亿件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封装外，还提供安世半导体(中国)有限公司开发的最新封装，包括
关键字：
安世 GaN
德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
关键字：
TI GaN
《麻省理工科技评论》于近日揭晓2018 年“全球十大突破性技术”，这份全球新兴科技领域的权威榜单至今已经有 17 年的历史。
1、给所有人的人工智能 AI for everyone
入选理由：将机器学习工具搬上云端，将有助于人工智能更广泛的传播
重大意义：目前，人工智能的应用是受到少数几家公司统治的。但其一旦与云技术相结合，那它将可以对许多人变得触手可及，从而实现经济的爆发式增长。
主要研究者：Google,亚马逊，阿里云，腾讯云，百度云，金山云，京东云
关键字：
机器学习 GAN
一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
关键字：
GaN 氮化镓
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
关键字：
宜普 GaN
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
关键字：
SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
关键字：
GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
关键字：
5G GaN
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
关键字：
MOCVD GaN
gan hemt介绍
您好，目前还没有人创建词条gan hemt!
欢迎您创建该词条，阐述对gan hemt的理解，并与今后在此搜索gan hemt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473