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集成电路芯片热机械应力特征研究

  •   摘要:本文在试验和理论两个方面,系统研究了芯片热机械应力特征。作者利用红外热成像技术研究了芯片内部热机械应力随工作电流的瞬态变化关系,发现芯片热机械应力随工作电流呈对数增长。同时本文利用有限元方法模拟计算了芯片热机械应力在不同电流密度下与总工作电流的关系,从而验证了上述实验结论,并发现随着电流密度增加芯片内部热机械应力上升速率变快。   引言   随着集成电路技术的发展,电路元件集成度不断提高,尽管芯片总功耗在降低,由于芯片面积和元件尺寸不断减小,导致芯片的热功耗密度不断增大,芯片内部温度和热机械
  • 关键字: 集成电路  热机械应力  红外热成像  GaAs  热膨胀系数  201411  

一种可变增益功率放大器的应用设计

  •   采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB.将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。   甚小口径终端(verysmall apert
  • 关键字: 功率放大器  可变增益  GaAs  

全面解读LED芯片知识

  •   1、LED芯片的制造流程是怎样的?   LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法,其主要在1.33×10?4Pa高真空下,用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化,并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金,N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来,使留下来的合金层能满
  • 关键字: LED  GaAs  

RFaxis单芯/单模RF前端模块获Frost&Sulivan创新奖

  •   全球领先的单芯/单模RF前端模块提供商RFaxis公司宣布,荣获北美Frost&Sullivan技术创新领导大奖。RFaxis致力于单芯/单模RF前端集成电路(RFeIC™)研发,推出独特的无线通信RF前端解决方案。 Frost&Sullivan根据其对于无线通信射频前端模块(RF FEM)市场的最新分析结果,认为RFaxis的创新解决方案实现了卓越性能、功能与经济性的完美结合,已经得到证明是传统GaAs (砷化镓)解决方案的理想替代选项。  传统上,FR
  • 关键字: RFaxis  Frost&Sullivan  GaAs  RF  

数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位体制ADC的设计与实现

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 数字射频存储器  GaAs  ADC  比较级电路  

基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

  • PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较,PIN二极管...
  • 关键字: GaAs  PIN    二极管    单刀双掷开关  

超低噪声的S频段放大器设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 超低噪声  S频段  放大器  GaAs  

一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关

  • 摘要:射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于
  • 关键字: 单刀  单掷  开关  GaAs  波段  MMIC  技术  基于  

利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

  • 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低 ...
  • 关键字: GaAs  PHEMT  MMIC  LNA  

无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场

  • 根据市场战略研究公司Strategy Analytics分析:全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长,从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。
  • 关键字: 无线网络  GaAs  

18 GHz移动通讯回程中MMIC放大器运用

  • 为满足第四代数据传输服务的需要,无线通讯业已向LTE(长期演进)迅猛发展。虽然某些地区的不同标准将仍将...
  • 关键字: MMIC放大器  移动通讯回程  GaAs  LTE  

砷化镓IDM厂调高财测 台系业者雨露均沾

  •   随著下游需求回温,自2010年初以来,整体砷化镓 (GaAs)市场需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化镓IDM业者纷纷上调2010年度财测后,Avago也宣告调高 2010年2~4月的营收预估值。受惠于此,台系砷化镓晶圆代工厂宏捷科技以及稳懋半导体的单月营收皆持续攀升,市场预期业者的第2季也可望持续优于第1 季表现。   受惠于智能型手机(smartphone)出货量持续成长,带动功率放大器(PA)的需求,也反应在全球各家砷化镓IDM业者的财测中。而台系晶圆代工厂以及
  • 关键字: GaAs  晶圆代工  

高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程网络的速度和容量

  •   数据通信量的增加正在成为回程网络的瓶颈   近年来,宽带用户数量明显增加,并出现了大量手持移动互联网设备(MID)。数据和视频应用已超过话音(参见图1),导致传输网络的需求量前所未有地急剧增长。市调专业机构ABIResearch最新报告显示,2009年移动通信用户总量将达到43亿,2013年将接近54亿。因此,数据在移动通信中所占比例将迅速增长。保持这种增长势头很大程度上取决于移动用户能否获得积极的宽带体验。为保证各类通信的服务质量(QoS),收集和传送数据的回程网络必须与用户需求保持同步。
  • 关键字: TriQuint  3G  4G  GaAs  

NJR开发GaAs MMIC NJG1139UA2 适合于便携式数字电视

  • 日本无线(NJR)现开发完成了GaAsMMICNJG1139UA2,并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器,...
  • 关键字: GaAs  MMIC  NJG1139UA2  数字电视  LNA  
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